[实用新型]陶瓷基板

说明书

本实用新型公开了一种陶瓷基板，该陶瓷基板包括基材、第一线路层、芯片焊盘以及第一阻焊，基材包括有第一表面；第一线路层设置于第一表面上；多个芯片焊盘设置于第一线路层上，且每一所述芯片焊盘与相邻的芯片焊盘间隔设置；第一阻焊，位于第一表面上且绕每一所述芯片焊盘设置。通过上述方式，本实用新型能够在焊接的时候对锡膏进行约束，从而提高焊接效果。

技术领域

本实用新型涉及COB光源领域，特别涉及一种陶瓷基板。

背景技术

现在COB(chip-on-board，板上芯片封装)光源向高功率密度点光源方向发展，使得COB芯片间距设计越来越小。现在一般通过在基板上设置芯片焊盘，随后将芯片通过锡膏焊接与芯片焊盘上，由于芯片焊盘间距较少，在通过锡膏焊接的过程中容易出现锡膏流动而导致芯片容易漂移，使得整个芯片不够平整。

实用新型内容

本实用新型提供一种陶瓷基板，以解决现有技术通过锡膏对芯片进行焊接效果较差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种陶瓷基板，所述陶瓷基板包括：基材，包括有第一表面；第一线路层，设置于所述第一表面上；多个芯片焊盘，设置于所述第一线路层上，且每一所述芯片焊盘与相邻的芯片焊盘间隔设置；第一阻焊，位于所述第一表面上且绕每一所述芯片焊盘设置。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一阻焊在垂直于所述第一表面的方向上不高于所述芯片焊盘。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述芯片焊盘包括间隔设置的固晶焊盘与金线键合焊盘，所述陶瓷基板还包括第二阻焊，所述第二阻焊设置于所述第一线路层上且位于所述固晶焊盘与金线键合焊盘之间。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述金线键合焊盘的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.12mm。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第二阻焊的厚度大于或等于15μm，且小于或等于35μm；所述第二阻焊的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一线路层的线路间隔大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm；所述第一线路层的厚度大于或等于50μm，且小于或等于80μm。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一阻焊的宽度小于芯片焊盘之间的间隔宽度，所述第二阻焊的宽度小于同一芯片焊盘中固晶焊盘与金线键合焊盘之间的间隔宽度。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一线路层包括焊盘区域和非焊盘区域，所述多个芯片焊盘设置于所述焊盘区域内，所述非焊盘区域设置有第三阻焊。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述基材还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述陶瓷基板还包括设置于所述第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述第二线路层通过贯穿所述基材的镀铜通孔连接。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述陶瓷基板还包括有设置于所述第二线路层上的正极焊盘、负极焊盘以及散热焊盘。

有益效果，区别于现有技术，本实用新型通过绕芯片焊盘设置第一阻焊，由于第一阻焊的材料为油墨，本身与锡膏不亲和。因此在采用锡膏在芯片焊盘焊接芯片时，锡膏在熔化到固化的过程中不会与第一阻焊接合，也无法在第一阻焊的表面发生移动，从而限制锡膏只能在芯片焊盘上进行移动，进而对锡膏进行约束。从而解决由于锡膏流动导致芯片漂移以及不平整的问题，使得芯片、基材以及锡膏三者的焊接效果良好，进而增加芯片的导热能力，降低结温，提升整个陶瓷基板的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型提供的陶瓷基板的第一实施例结构示意图；

图2是本实用新型提供的陶瓷基板的第二实施例结构示意图；