[实用新型]静电防护结构

说明书

本实用新型涉及一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。本实用新型通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种静电防护结构。

背景技术

芯片也可以称为集成电路，随着集成电路制造工艺的不断发展，芯片封装密度和集成度越来越高，芯片尺寸越来越小，电路模块之间的干扰也越来越明显，静电防护显得更为重要。

ESD(ElectroStatic discharge，静电释放)现象所带来的过量电荷会在极短的时间内经由具体电路的输入输出引脚传入具体电路中，进而破坏芯片的具体电路。

目前芯片封装布局中，在芯片周围一般设置防护圈(seal ring)结构，该防护圈结构与芯片之间有一定的距离，以有效间隔该半导体芯片的边缘，该防护圈结构的主要用途是在切割IC时，提供该IC避免遭受切割应力、水气及湿气入侵或静电电荷放电影响。但是，由于实际工艺的种种限制，组成所述防护圈的平滑导电线路并不能很好通过与接地的方式消除静电。

如何有效消除芯片电路中的静电问题，确保芯片的稳定性和安全性，仍是本领域亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种静电防护结构，以有效的消除芯片电路中的静电，确保芯片的稳定性和安全性。

本实用新型实施例提供了一种静电防护结构，包括：

导电本体，环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地；和

至少一个导电凸起，设置于所述导电本体。

在其中一个实施例中，所述导电本体为从第一端开始至第二端结束的开放式防护圈线路。

在其中一个实施例中，所述静电防护结构还包括测试垫，所述测试垫设置于所述开放式防护圈线路的两端。

在其中一个实施例中，所述防护圈线路包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有所述导电凸起。

在其中一个实施例中，靠近所述芯片的所述导电线路上的所述导电凸起背向和/或朝向所述芯片。

在其中一个实施例中，所述多圈导电线路中各所述导电线路的图形相同或不同。

在其中一个实施例中，所述多圈导电线路中相邻的各所述导电线路的所述导电凸起交错排布。

在其中一个实施例中，各所述导电线路的所述导电凸起形状相同或不同。

在其中一个实施例中，所述导电本体最外侧的所述导电线路具有背向所述芯片方向间隔排布的所述导电凸起。

在其中一个实施例中，所述导电凸起为矩形凸起。

综上，本实用新型实施例提供了一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和至少一个导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。可以理解，导体表面有电荷堆积时，电荷密度与导体表面的形状有关，导体表面曲率越大，面电荷密度越大。当电荷密度达到一定的量值后，就会出现尖端放电，因此本实用新型通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种静电防护结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种静电防护结构的结构示意图；