[实用新型]用于显示器的电路基板及显示器有效
申请号: | 201921895175.8 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN210467816U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 刘召军;莫炜静;吴国才 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L27/12;H01L27/15;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 显示器 路基 | ||
本实用新型公开了一种用于显示器的电路基板及显示器。用于显示器的电路基板,包括:TFT基板;形成在TFT基板上的接触电极层,所述接触电极层用于键合LED芯片的正/负电极,所述正/负电极的材料包括Au,所述接触电极层包括第一电极层,所述第一电极层的材料为Ni。本实施例的技术方案,通过将接触电极层的材料设置为Ni,Micro‑LED芯片与TFT基板键合过程中易从TFT基板上脱落、TFT基板易损伤、Micro‑LED芯片与TFT基板之间接触电阻大的问题,达到了提高Micro‑LED芯片与TFT基板牢固度、降低TFT基板损伤、降低Micro‑LED芯片工作功耗的效果。
技术领域
本实用新型实施例涉及电路基板结构和制备技术,尤其涉及一种用于显示器的电路基板及显示器。
背景技术
现有方案中,TFT基板最上边的金属层一般为ITO等脆性材料。当发光Micro-LED芯片通过自身的电极键合到TFT基板上时,受限于TFT上脆性金属层的限制,电极与TFT基板键合比较困难,第一方面,键合过程中会存在键合不牢固、Micro-LED芯片易从TFT基板上脱落的问题。第二方面,键合过程中会对TFT基板造成损伤。第三方面,Micro-LED芯片与TFT基板键合之后,还存在接触电阻大,使Micro-LED芯片工作时功耗较高。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于显示器的电路基板及显示器,以提高Micro-LED芯片与TFT基板牢固度、降低TFT基板损伤、降低Micro-LED芯片工作功耗。
第一方面,本实用新型实施例还提供了一种用于显示器的电路基板,包括:
TFT基板;
形成在TFT基板上的接触电极层,所述接触电极层用于键合LED芯片的正/负电极,所述正/负电极的材料包括Au,所述接触电极层包括第一电极层,所述第一电极层的材料为Ni。
可选的,所述接触电极层还包括:
形成在第一电极层上的第二电极层,所述第二电极层的材料包括Ni和/或Au。
可选的,所述接触电极层还包括:
形成在第二电极层上的第三电极层,所述第三电极层的材料包括Ti、和/或Ni、和/或Au。
可选的,所述接触电极层还包括:
形成在第三电极层上的第四电极层,所述第四电极层的材料包括Ti、和/或Al、和/或Ni、和/或Au。
可选的,所述TFT基板包括:
衬底;
形成在衬底上的栅极;
形成在所述栅极的绝缘层;
形成在绝缘层之上的通道层;
形成在所述通道层的两侧的源极和漏极;
形成在通道层、源极和漏极上保护层,所述接触电极层贯穿所述保护层与所述漏极相连。
可选的,所述TFT基板包括:
衬底;
形成在衬底之上的通道层,所述通道层的两侧分别设置有源极和漏极;
形成在通道层、源极和漏极之上的绝缘层;
形成在绝缘层之上的栅极;
形成在栅极、源极和漏极上的保护层,所述接触电极层贯穿所述保护层与所述漏极相连。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种显示器,包括上述的任一用于显示器的电路基板。
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