[实用新型]一种半导体制冷片有效
| 申请号： | 201921750235.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN211011987U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 耿靳财;祁奇 | 申请（专利权）人： | 青云志能源科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357 | 代理人： | 徐伟华 |
| 地址： | 215222 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制冷片，其特征在于：包括制冷层、制热层以及设置于所述制冷层和所述制热层之间的若干半导体晶粒，所述制热层的外面表设置有散热结构，所述散热结构包括与所述制热层相连的导热管以及与所述导热管相连的散热片组件。
2.如权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述制热层中设置有安装孔，所述导热管设置于所述安装孔中。
3.如权利要求2所述的半导体制冷片，其特征在于：所述安装孔的内径和所述导热管的外径相匹配。
4.如权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述制冷层和所述制热层的内表面分别设置有与所述若干半导体晶粒相配合的若干收容槽，所述若干半导体晶粒分别位于所述若干收容槽中。
5.如权利要求4所述的半导体制冷片，其特征在于：所述收容槽中设置有导流片，所述导流片的高度低于所述收容槽的高度。
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