[实用新型]半导体结构

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有多条字线、位于相邻两条所述字线之间的导电接触区；孔，位于所述导电接触区；沟槽，位于所述导电接触区；所述孔位于所述沟槽上方且相互连通；其中所述孔的宽度大于所述沟槽的宽度。本实用新型增大了接触插塞与导电接触区之间的接触面积，从而降低接触插塞与导电接触区之间的接触电阻，改善了半导体结构的性能，提高了半导体结构的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

在现有的半导体结构制造工艺中，为了增加存储单元的充放电速度，主要是利用增加存储单元接触插塞与存储单元接触区之间的接触面积和/或位线接触插塞与位线接触区之间的接触面积，来达到降低接触电阻的效果。在6F²(例如3F×2F)的存储单元工艺基础上，随着技术节点的演进，增加存储单元接触插塞与存储单元接触区之间的接触面积和/或位线接触插塞与位线接触区之间的接触面积的难度越来越大，对半导体结构制造工艺的改进难度越来越大。

因此，如何降低半导体结构内部的接触电阻，从而改善半导体结构的性能，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体结构，用于解决现有的半导体结构内部接触电阻较大的问题，以改善半导体结构的性能，提高半导体结构的良率。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底内具有多条字线、位于相邻两条所述字线之间的导电接触区；

孔，位于所述导电接触区；

沟槽，位于所述导电接触区；

所述孔位于所述沟槽上方且相互连通；

其中所述孔的宽度大于所述沟槽的宽度。

可选的，还包括：

隔离层，位于所述字线与所述导电接触区之间，用于电性隔离所述导电接触区与所述字线；

所述字线的顶面与所述沟槽的底面均位于所述隔离层的顶面之下。

可选的，所述衬底内还具有字线沟槽，所述隔离层覆盖于所述字线沟槽内壁，所述字线填充于部分所述字线沟槽内、并覆盖于部分所述隔离层背离所述导电接触区的表面。

可选的，所述孔的宽度与所述导电接触区的宽度相等。

可选的，所述导电接触区为存储单元接触区或位线接触区。

可选的，多条所述字线将所述衬底划分为若干个交替排列的存储单元接触区和位线接触区；

所述孔包括位于所述存储单元接触区的第一孔和位于所述位线接触区的第二孔；

所述沟槽包括位于所述存储单元接触区的第一沟槽和位于所述位线接触区的第二沟槽；

所述接触插塞包括至少填充满所述第一孔和所述第一沟槽的存储单元接触插塞、以及至少填充满所述第二孔和所述第二沟槽的位线接触插塞。

可选的，所述存储单元接触插塞与所述位线接触插塞的材料均为多晶硅材料。

可选的，所述字线的材料为金属材料。