[实用新型]一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构有效
| 申请号： | 201921552313.2 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN210607265U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 击穿 特性 平面 栅双极型 晶体管 结构 | ||
1.一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：包括半导体衬底（1）、栅氧化层（2）、多晶硅栅极（3）、浮空栅极场板（4）、发射极电极（5）、FOX区（6）、JFET区（7）、二氧化硅绝缘介质层（8）、N+发射极区（9）、P型基区（10）、P+深阱区（11）、P型集电极区（12）以及集电极（13），所述浮空栅极场板（4）与多晶硅栅极（3）相连，并在器件表面跨过栅极的上方延伸至JFET区（7）上方，所述浮空栅极场板（4）和多晶硅栅极（3）通过金属互连线相连接。
2.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述二氧化硅绝缘介质层（8）的表面设有若干可调型浮空栅极场板（4）。
3.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述浮空栅极场板（4）下方设有由二氧化硅绝缘介质层（8）、栅氧化层（2）和FOX区（6）共同构成厚氧化层区，其厚度为1-3um。
4.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述多晶硅栅极（3）被FOX区（6）分隔成两个部分。
5.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述多晶硅栅极（3）是不平整的，呈台阶状。
6.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述FOX区（6）将多晶硅栅极（3）分隔成两个部分，且FOX区（6）宽度小于JFET区（7）的宽度，两个FOX区（6）之间的间距小于多晶硅栅极（3）之间的间距，FOX区（6）的形状可以设置成上窄下宽的梯形。
7.根据权利要求1所述的一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，其特征在于：所述N+发射极区（9）与P型基区（10）的表面形成一个平面栅极通道，从IGBT的N+发射极区（9）到P型基区（10）。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海擎茂微电子科技有限公司，未经上海擎茂微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921552313.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光发射组件、摄像模组及电子设备
- 下一篇：电镀用挡电板
- 同类专利
- 专利分类
