[实用新型]DRAM存储器

说明书

一种DRAM存储器，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度，相应的位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。即本实用新型中的字线结构呈波浪形，具有该种形状的字线结构一方面使得字线结构中的金属电极的截面面积增大，从而降低字线结构的电阻；另一方面，由于有源区两侧或周围的字线结构宽度大于有源区中的字线结构的宽度，使得DRAM存储器的晶体管的门电极接触面积增加(即增加晶体管的栅极宽度)，这有利于增加DRAM存储器的晶体管的导通电流，从而提高存储的读取速度，增加DRAM存储器的晶体管的集成度。

技术领域

本实用新型涉及存储器领域，尤其涉及一种DRAM存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

为了提高存储结构的集成度，DRAM存储器中的晶体管通常采用沟槽形的晶体管结构，沟槽形的晶体管结构的具体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的沟槽；位于沟槽中的栅极(或字线结构)；位于沟槽两侧的半导体衬底中的源区和漏区。沟槽形的晶体管的栅极与字线相连、源区和漏区其中之一与位线相连、源区和漏区中另外一个与电容器相连。

由于字线电阻以及电容相关因素的制约，导致现有的DRAM单一芯片所包含的晶体管的数目有限(一般为1024个)，这大大限制了DRAM的集成度，从而如何降低字线电阻，提升存储单元晶体管的导通电流成为DRAM发展的重点和难点问题，亟需解决。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是如何降低字线电阻，提升存储单元晶体管的导通电流，增加晶体管的集成度。

为此，本实用新型提供了一种DRAM存储器，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的有源区，所述有源区之间通过隔离层隔离；

位于所述有源区和隔离层中的字线沟槽，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度；

位于所述字线沟槽中的字线结构，位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线结构的宽度。

可选的，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于所述有源区中那一部分字线沟槽的宽度的值为10nm-15nm。

可选的，所述有源区的材料为硅，所述隔离区的材料为氧化硅。

可选的，所述字线结构包括位于字线沟槽侧壁和底部的栅氧化层和位于所述栅氧化层上填充所述字线沟槽的金属电极。

可选的，每一个有源区中具有两个分立的字线沟槽，所述两个字线沟槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于所述漏极两侧的两个源极。

与现有技术相比，本实用新型技术方案具有以下优点：

本实用新型的DRAM存储器，位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度，相应的位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。即本实用新型中的字线结构呈波浪形，具有该种形状的字线结构一方面使得字线结构中的金属电极的截面面积增大，从而降低字线结构的电阻；另一方面，由于有源区两侧或周围的字线结构宽度大于有源区中的字线结构的宽度，使得DRAM存储器的晶体管的门电极接触面积增加(即增加晶体管的栅极宽度)，这有利于增加DRAM存储器的晶体管的导通电流，从而提高存储的读取速度，增加DRAM存储器的晶体管的集成度。