[实用新型]一种倒装LED芯片及其封装器件

说明书

本实用新型提供一种倒装LED芯片及其封装器件，该倒装LED芯片包括发光结构、形成在发光结构的第二表面和侧面上的绝缘保护层以及形成在绝缘保护层上方分别与第一和第二半导体层电连接的第一共晶电极和第二共晶电极，第一和第二共晶电极具有间隙，且二者之间的最短垂直距离D₁小于间隙宽度W。第一和第二共晶电极可以具有异型结构，例如梯形结构或者变形的“L”型结构。倒装LED芯片的封装结构包括焊接倒装LED芯片的基板，基板上形成有与第一和第二共晶电极相对应且形状相同的第一和第二焊接区。上述变形结构有利于LED芯片及其封装器件的缩小，焊料不会在封装时越过焊接区之间的间隔，因此不会造成短路问题，由此能够提高器件的性能及使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体照明技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片及其封装器件。

背景技术

LED(light emitting diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，尤其其中的倒装LED芯片，因耗能低、寿命长、节能环保等诸多优势，应用越来越广泛。

随着LED技术的不断发展与成熟，倒装LED芯片及其封装器件的尺寸越来越小，其制作过程面临的困难与挑战越来越多。现有技术中，如图1a和1b所示，倒装LED芯片10的共晶电极11以及封装基板20上的共晶电极21大都采用矩形结构，这样能够方便封装基板及其表面的导电线路的制作。然而，对于尺寸更小的micro LED芯片或者mini LED芯片来说，采用上述矩形共晶电极时，共晶电极之间的距离会变得更小，例如通常会小于30μm，然而目前封装基板表面的导电线路的制作精度在30μm以上，达不到小于30μm的制作精度。共晶电极之间的距离与导电线路的制作精度之间的矛盾会导致一系列的问题，例如，焊接LED芯片的锡膏会在回流焊过程中漫过共晶电极之间的空隙而导通在一起，导致器件短路的风险。

现有技术中针对共晶电极之间的距离减小问题，通常采用减小矩形共晶电极的尺寸相应增大共晶电极之间的距离的方法。这样的方法使得共晶电极的面积减小，一方面会影响共晶电极的结合力，导致器件失效或者影响器件的使用寿命；另一方面使得LED芯片上的共晶电极无法完全覆盖连接孔，影响芯片的电压性能。

实用新型内容

针对现有技术中倒装LED芯片及其封装器件在共晶电极方面存在的不足与缺陷，本实用新型提供一种倒装LED芯片及其封装器件，通过改变LED芯片的共晶电极及其封装器件的基板的焊接区的形状以及设置方式，增大共晶电极之间以及焊接区之间的间距，防止发生短路现象。

根据本实用新型的第一方面，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：

发光结构、绝缘保护层以及第一共晶电极和第二共晶电极，所述发光结构包括：第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的有源层、形成在所述有源层上方的与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，所述发光结构形成第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，其中所述第一表面为出光面；所述绝缘保护层覆盖在所述发光结构的所述侧面及所述第二表面上，并具有第一通孔和第二通孔；所述第一共晶电极和所述第二共晶电极，形成在所述绝缘保护层上，其特征在于，

所述第一共晶电极覆盖所述第一通孔并通过该第一通孔和所述第一半导体层形成电连接，所述第二共晶电极覆盖所述第二通孔并通过该第二通孔与所述第二半导体层电连接，并且所述第一共晶电极与所述第二共晶电极之间具有间隙，所述第一共晶电极和第二共晶电极之间的最短垂直距离D₁与所述间隙的宽度W的关系为D₁<W。

可选地，所述第一共晶电极与第二共晶电极之间的间隔距离D₂大于等于30μm，所述第一共晶电极和第二共晶电极之间的所述最短垂直距离D₁小于等于30μm。