[实用新型]一种倒装LED芯片及其封装器件

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，包括发光结构、绝缘保护层以及第一共晶电极和第二共晶电极，所述发光结构包括：第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的有源层、形成在所述有源层上方的与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，所述发光结构形成第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，其中所述第一表面为出光面；所述绝缘保护层覆盖在所述发光结构的所述侧面及所述第二表面上，并具有第一通孔和第二通孔；所述第一共晶电极和所述第二共晶电极，形成在所述绝缘保护层上，其特征在于，

所述第一共晶电极覆盖所述第一通孔并通过该第一通孔和所述第一半导体层形成电连接，所述第二共晶电极覆盖所述第二通孔并通过该第二通孔与所述第二半导体层电连接，并且所述第一共晶电极与所述第二共晶电极之间具有间隙，所述第一共晶电极和第二共晶电极之间的最短垂直距离D₁与所述间隙的宽度W的关系为D₁<W。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述第一共晶电极与第二共晶电极之间的间隔距离D₂大于等于30μm，所述第一共晶电极和第二共晶电极之间的所述最短垂直距离D₁小于等于30μm。

3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极与所述第二共晶电极之间的所述最短垂直距离D₁与所述间隙的宽度W的关系为D₁≤0.8W。

4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极与所述第二共晶电极之间的所述间隙的两个端部具有第一宽度W₁，中间区域具有第二宽度W₂，并且

W₁<W₂。

5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极和所述第二共晶电极的两端分别具有不同的宽度B₁和B₂，所述第一通孔和所述第二通孔的孔径大于B₂并且小于B₁。

6.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极和所述第二共晶电极关于所述第一共晶电极和所述第二共晶电极之间的所述间隙的中心呈中心对称设置，并且所述第一共晶电极与第二共晶电极之间的间隔距离D₂小于50μm。

7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极和所述第二共晶电极包括以所述间隙的中心呈中心对称设置的梯形结构，其中所述第一共晶电极的所述梯形结构与所述第二共晶电极的所述梯形结构的腰相对设置。

8.根据权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述梯形结构的呈锐角的底角的角度介于10°～80°。

9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述梯形结构为直角梯形结构。

10.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一共晶电极和所述第二共晶电极包括以所述间隙的中心呈中心对称设置的“L”型结构，其中所述“L”型结构包括沿第一方向延伸的第一部分以及沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第二部分，所述第一部分的宽度与所述第二部分的宽度的比介于2:1～3:2。

11.根据权利要求10所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述“L”型结构的所述第一部分的端部向靠近所述第二部分的方向倾斜设置，并且所述第一部分的端部与所述第一方向之间的第一夹角的角度介于10°～90°。