[实用新型]桥式碳化硅场效应管驱动电路

说明书

本申请实施例公开了一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，该电路包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接。采用本申请实施例无需复杂的负压驱动电路即可实现碳化硅场效应管的快速关断，从而减少了电路的复杂性、提高了电路的适用性。

技术领域

本实用新型涉及电源、电力电子技术领域，尤其涉及一种桥式碳化硅场效应管驱动电路。

背景技术

随着开关电源技术不断发展，市场上对开关电源的要求也变得越来越高，不仅要安全可靠，高效，还要体积最小。体积小型化，就要求电源密度更高，开关管作为开关电源的核心部件，势必要求损耗最小，耐压更高，性能更优良。碳化硅MOS管，相比于传统硅MOS管，以更高耐压，更低的导通电阻，极小的结电容，受到了越来越多电源厂家的青睐，尤其是在大功率电源中，为了兼顾体积，往往开关频率都比较高，传统的硅MOS管结电容较大，关断比较慢，在高开关频率工作状态下，MOS管关断损耗很大，此时碳化硅成了最佳选择。但是由于碳化硅MOS管的导通门槛电压低，所以关断时，需要给-4V到-2V左右的GS负压才能确保可靠关断。特别是桥式上下管中用的碳化硅，驱动电路往往很复杂，不仅要额外增加负压电路，还存在上下管不共地的问题。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，旨在解决现有技术中碳化硅场效应管驱动电路需要额外增加负压电路关断碳化硅场效应管的问题，采用本申请实施例无需复杂的负压驱动电路即可实现碳化硅场效应管的快速关断，从而减少了电路的复杂性、提高了电路的适用性。

第一方面，本申请实施例提供了一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，该电路包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；

所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接；

所述弱电平控制模块用于控制所述驱动芯片以使得所述驱动芯片能够控制所述第一驱动模块和所述第二驱动模块输出的驱动信号；

所述驱动芯片用于将所述第一驱动模块输出的第一驱动信号输入所述第一碳化硅场效应管电路以控制所述第一碳化硅场效应管的导通和关断，以及用于将所述第二驱动模块输出的第二驱动信号输入所述第二碳化硅场效应管电路以控制所述第二碳化硅场效应管的导通和关断，其中，所述第一驱动信号包括第一正压驱动信号和第一负压驱动信号，所述第一正压驱动信号用于驱动所述第一碳化硅场效应管导通，所述第一负压驱动信号用于关断所述第一碳化硅场效应管，所述第二驱动信号包括第二正压驱动信号和第二负压驱动信号，所述第二正压驱动信号用于驱动所述第二碳化硅场效应管导通，所述第二负压驱动信号用于关断所述第二碳化硅场效应管。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实施方式中，所述第一碳化硅场效应管电路包括第一碳化硅场效应管Q1、电阻R11、电阻R12、电阻R13和二极管D1；

所述第二碳化硅场效应管电路包括第二碳化硅场效应管Q2、电阻R21、电阻R22、电阻R23和二极管D2；