[实用新型]桥式碳化硅场效应管驱动电路

权利要求书

1.一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；

所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接；

所述弱电平控制模块用于控制所述驱动芯片；

所述驱动芯片用于将所述第一驱动模块输出的第一驱动信号输入所述第一碳化硅场效应管电路以控制所述第一碳化硅场效应管的导通和关断，以及用于将所述第二驱动模块输出的第二驱动信号输入所述第二碳化硅场效应管电路以控制所述第二碳化硅场效应管的导通和关断，其中，所述第一驱动信号包括第一正压驱动信号和第一负压驱动信号，所述第一正压驱动信号用于驱动所述第一碳化硅场效应管导通，所述第一负压驱动信号用于关断所述第一碳化硅场效应管，所述第二驱动信号包括第二正压驱动信号和第二负压驱动信号，所述第二正压驱动信号用于驱动所述第二碳化硅场效应管导通，所述第二负压驱动信号用于关断所述第二碳化硅场效应管。

2.根据权利要求1所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，

所述第一碳化硅场效应管电路包括第一碳化硅场效应管Q1、电阻R11、电阻R12、电阻R13和二极管D1；

所述第二碳化硅场效应管电路包括第二碳化硅场效应管Q2、电阻R21、电阻R22、电阻R23和二极管D2；

其中，所述第一碳化硅场效应管Q1的漏极连接电源接线VBUS，用于为所述第一碳化硅场效应管Q1提供预设电压信号；所述电阻R11的一端与所述第一碳化硅场效应管Q1的栅极连接，所述电阻R11的另一端与所述二极管D1的正极端连接；所述二极管D1的负极端与所述驱动芯片连接；所述电阻R12的一端与所述电阻R11的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述二极管D1的负极端连接；所述电阻R13的一端与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R13的另一端与所述第一驱动模块连接；所述第二碳化硅场效应管Q2的漏极与所述第一碳化硅场效应管Q1的源极连接，所述第二碳化硅场效应管Q2的源极接地，所述电阻R21的一端与所述第二碳化硅场效应管Q2的栅极连接，所述电阻R21的另一端与所述二极管D2的正极端连接，所述二极管D2的负极端与所述驱动芯片连接，所述电阻R22的一端与所述电阻R21的一端连接，电阻R22的另一端与所述二极管D2的负极端连接，所述电阻R23的一端与所述电阻R22的一端连接，所述电阻R23的另一端与所述第二驱动模块连接。

3.根据权利要求1或2所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，

所述第一驱动模块包括依次连接的第一输入端、第一正激变换器和第一驱动输出电路，其中，所述第一输入端用于将第一信号输入所述第一正激变换器，所述第一正激变换器用于将所述第一信号升压后传递给所述第一驱动输出电路以输出所述第一驱动信号。

4.根据权利要求3所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，所述第一正激变换器包括磁复位模块、双抽头升压变压器、第三场效应管和脉冲驱动信号输入端，其中，所述磁复位模块的一端与所述双抽头升压变压器的原边的一端电性连接，所述磁复位模块的另一端与所述双抽头升压变压器的原边的另一端电性连接，所述双抽头升压变压器的原边的另一端与所述第三场效应管的漏极电性连接，所述第三场效应管的源极接地，所述脉冲驱动信号输入端与所述第三场效应管的栅极电性连接，所述脉冲驱动信号输入端用于输入控制所述第三场效应管导通和关断的第一控制信号，所述磁复位模块用于当所述第三场效应管截止时为所述双抽头升压变压器退磁，所述双抽头升压变压器用于将所述第一信号升压后传递给所述第一驱动输出电路以输出所述第一驱动信号。

5.根据权利要求4所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，在所述第一控制信号为高电平的情况下，所述第三场效应管导通，所述第一信号通过所述双抽头升压变压器的原边后，将信号能量传递到所述双抽头升压变压器的副边输出。