[实用新型]钙钛矿太阳能电池封装结构有效
| 申请号: | 201921055267.5 | 申请日: | 2019-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN210110842U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 寿春晖;解剑波;沈曲;李清毅;杨松旺;陈宗琦;胡达清;廖达琛;葛春亮 | 申请(专利权)人: | 浙江浙能技术研究院有限公司;浙江天地环保科技有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 张羽振 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池 封装 结构 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,包括层压件和安装在层压件周围的辅助框架(8),所述层压件包括依次叠置的正面保护层(1)、上填充层(3)、钙钛矿太阳能电池(4a)、中填充层(4b)、下填充层(5)和背面保护层(2);所述下填充层(5)与钙钛矿太阳能电池(4a)的正面直接接触,且下填充层(5)填充在钙钛矿太阳能电池(4a)的正面与背面保护层(2)之间;所述上填充层(3)与钙钛矿太阳能电池(4a)的背面直接接触,且上填充层(3)填充在钙钛矿太阳能电池(4a)的背面与正面保护层(1)之间;正面保护层(1)和背面保护层(2)的内侧不同端分别设有金属电极(7);正面保护层(1)和背面保护层(2)均设有内部连接件(6a);钙钛矿太阳能电池(4a)的正极和负极分别通过内部连接件(6a)与背面保护层(2)和正面保护层(1)内侧的导电层连接;单体的层压件之间通过外部连接件(6b)从一个层压件的金属电极(7)连接至另一个层压件的金属电极(7),并通过辅助框架(8)固定;所述正面保护层(1)和背面保护层(2)均由基底和导电层构成。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,所述外部连接件(6b)是有弹性的导电金属片。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池(4a)包括依次设置的底电极、过渡层、钙钛矿层、过渡层以及顶电极,底电极与钙钛矿层之间的过渡层是电子传输层,顶电极与钙钛矿层之间的过渡层是空穴传输层;钙钛矿太阳能电池(4a)是单基板电池或是由若干个钙钛矿太阳能电池片组成的电池串,若是若干个钙钛矿太阳能电池片组成的电池串,则相邻的钙钛矿太阳能电池片之间通过金属电极(7)相连,即金属电极(7)从一个钙钛矿太阳能电池片的正极(9)连接至相邻的另一个钙钛矿太阳能电池片的负极(10);或者,金属电极(7)分别将相邻两个钙钛矿太阳能电池片的正极(9)相连、负极(10)相连;所述中填充层(4b)填充在相邻的钙钛矿太阳能电池片之间;所述金属电极(7)为镀锡铜带或导电胶,其宽度为0.5mm~10mm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,所述上填充层(3)、中填充层(4b)和下填充层(5)的材质为聚乙烯辛烯共弹性体、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛或有机硅树脂;上填充层(3)和下填充层(5)的厚度为0.1mm~5mm,中填充层(4b)的厚度与钙钛矿太阳能电池(4a)的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,所述正面保护层(1)由正面保护层基底(1a)和正面保护层导电层(1b)构成,背面保护层(2)由背面保护层基底(2a)和背面保护层导电层(2b)构成;正面保护层导电层(1b)和背面保护层导电层(2b)的材质是FTO、ITO或AZO;正面保护层基底(1a)和背面保护层基底(2a)的材质为超白玻璃、钢化玻璃或透明高分子材料;正面保护层(1)和背面保护层(2)的厚度为0.1μm~10mm。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池封装结构,其特征在于,所述辅助框架(8)内侧设有柔性的密封垫片(8a)且固定在内表面,辅助框架(8)和密封垫片(8a)的材料为硅胶、丁基胶或热塑高分子材料;辅助框架(8)还包括外部连接件(6b);钙钛矿太阳能电池片之间的电池连接方式包括串联和并联,其中串联包括横串和竖串;一个钙钛矿太阳能电池片的正极(9)连接相邻的另一个钙钛矿太阳能电池片的负极(10)的串联结构中,以电池正负极连线方向串联即为横串,并通过辅助框架(8)固定;以电池正负极连线方向的垂直方向串联即为竖串,辅助框架(8)中的外部连接件(6b)连接相邻两个钙钛矿太阳能电池片的正负极;相邻两个钙钛矿太阳能电池片的并联结构中,辅助框架(8)中的外部连接件(6b)分别将相邻两个钙钛矿太阳能电池片的正极(9)相连、负极(10)相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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