[实用新型]一种紫外发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201921032380.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN210156413U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰;仇美懿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 外延 结构 | ||
1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层；
所述有源层由若干个周期的量子阱结构组成，所述量子阱结构包括AlGaN阱层和AlGaN垒层；
所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN超晶格结构组成，每个周期的AlN/AlGaN超晶格结构包括AlN层和第一AlGaN层。
2.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述过渡层的厚度为200～400nm。
3.如权利要求2所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，每个AlN/AlGaN超晶格结构的厚度为2～10nm。
4.如权利要求3所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述AlN层的厚度为1～5nm，所述第一AlGaN层的厚度为1～5nm。
5.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述有源层由3～5个周期的量子阱结构组成。
6.如权利要求5所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述AlGaN阱层的厚度为3～8nm，所述AlGaN垒层的厚度为4～10nm。
7.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述阻挡层为P型AlGaN层，所述阻挡层的厚度为30～60nm。
8.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，所述AlN层的厚度是2～4μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921032380.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光柔和的光源及其组成的灯具
- 下一篇：静载全自动挂钩设备
