[实用新型]定位式单桥铜片结构有效
申请号: | 201920932719.7 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN210182375U | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 钱淼;王世铭;高瑞春 | 申请(专利权)人: | 苏州超樊电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/488 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军;糜婧 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 式单桥 铜片 结构 | ||
本实用新型公开了一种定位式单桥铜片结构,包括上层铜片、下层铜片及芯片,上层铜片包括第一上层侧边、第二上层侧边、若干上层连接片及若干上层连接脚,上层连接脚包括上层折弯件及上层触片,第一上层侧边设有第一上层缺口,第二上层侧边设有第二上层缺口,下层铜片包括第一下层侧边、第二下层侧边、若干下层连接片及若干下层连接脚,第一下层侧边设有第一下层缺口,第二下层侧边设有第二下层缺口,贴合后进行切割加工。上层连接脚、下层连接脚及芯片形成加工成为一体,加工效率高,节省加工时间,同时第二上层缺口、第二下层缺口、第一上层缺口及第一下层缺口的设置使整个结构具有防呆性能,减轻操作人员的负担。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种定位式单桥铜片结构。
背景技术
目前,在变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源等行业广泛应用的半导体整流装置,普遍是由二极管芯片、陶瓷覆铜片和底板以及连接桥、接线端子组成一个整流桥,并通过环氧树脂将其封装固定在一个壳体内,形成一个整流模块。
市面上在制作单桥的工艺比较复杂,单桥制作效率低,生产周期长,加工不便。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的之一在于提供一种定位式单桥铜片结构,其能解决制作效率低的问题。
本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现:
一种定位式单桥铜片结构,包括上层铜片、下层铜片及芯片,所述上层铜片包括第一上层侧边、第二上层侧边、若干上层连接片及若干上层连接脚,所述上层连接片两端分别与所述第一上层侧边、所述第二上层侧边连接,若干所述上层连接脚分布于所述上层连接片两侧,所述上层连接脚包括上层折弯件及上层触片,所述上层折弯件与所述上层触片固定连接,所述第一上层侧边设有第一上层缺口,所述第一上层缺口呈三角形,所述第二上层侧边设有第二上层缺口,所述第二上层缺口呈矩形;所述下层铜片包括第一下层侧边、第二下层侧边、若干下层连接片及若干下层连接脚,所述下层连接片两端分别与所述第一下层侧边、所述第二下层侧边连接,若干下层连接脚分布于所述下层连接片相对两侧,所述下层连接脚包括下层折弯件及下层触片,所述下层折弯件与所述下层触片固定连接,所述第一下层侧边设有第一下层缺口,所述第一下层缺口呈三角形,所述第二下层侧边设有第二下层缺口,所述第二下层缺口呈矩形;所述芯片点焊固定于下层触片,所述上层铜片贴合于所述下层铜片,所述第二上层缺口与所述第二下层缺口相对应,所述第一上层缺口与所述第一下层缺口相对应,贴合后进行切割加工。
进一步地,所述第一上层侧边还设有若干第一上层圆孔及若干第一上腰型孔,所述第一上层圆孔和所述第一上腰型孔间隔分布于所述第一上层侧边上。
进一步地,所述第二上层侧边设有若干第二上腰型孔、若干第二上层圆孔,所述第二上腰型孔和所述第二上层圆孔间隔分布于所述第二上层侧边上。
进一步地,所述第一下层侧边还设有若干第一下层圆孔及若干第一下腰型孔,所述第一下层圆孔和所述第一下腰型孔间隔分布于所述第一下层侧边上。
进一步地,所述第二下层侧边设有若干第二下腰型孔、若干第二下层圆孔,所述第二下腰型孔和所述第二下层圆孔间隔分布于所述第二下层侧边上。
相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:
所述上层铜片贴合于所述下层铜片,所述第二上层缺口与所述第二下层缺口相对应,所述第一上层缺口与所述第一下层缺口相对应,贴合后进行切割加工。所述上层连接脚、所述下层连接脚及所述芯片形成加工成为一体,加工效率高,节省加工时间,同时所述第二上层缺口、所述第二下层缺口、所述第一上层缺口及所述第一下层缺口的设置使整个结构具有防呆性能,减轻操作人员的负担。
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