[实用新型]密封构造以及处理装置有效
申请号: | 201920812444.3 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN210167329U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 大泉行雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/205;C23C16/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 构造 以及 处理 装置 | ||
本实用新型涉及一种密封构造以及处理装置。提供一种能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高的技术。本公开的一个方式的密封构造用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封,具有:内侧密封构件,其配置于所述接合部;以及外侧密封构件,其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置,由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成,其中,所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。
技术领域
本公开涉及一种密封构造以及处理装置。
背景技术
已知如下一种基板处理装置:在收容基板的腔室的底座与盖体之间双重地设置有密封构件,在双重地设置的密封构件之间设置有排气管,通过对密封构件之间进行排气来使底座与盖体紧密接合(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-304139号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开提供一种能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的密封构造用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封,所述密封构造的特征在于,具有:内侧密封构件,其配置于所述接合部;以及外侧密封构件,其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置,由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成,其中,所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。
本公开的另一个方式的处理装置的特征在于,具有:真空容器,其由多个构件构成;处理气体导入部,其用于向所述真空容器内导入处理气体;内侧密封构件,其配置于所述多个构件的接合部;以及外侧密封构件,其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置,由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成,所述处理装置能够在所述真空容器内进行处理时通过所述多个构件、所述内侧密封构件以及所述外侧密封构件来形成密闭空间。
实用新型的效果
根据本公开,能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高。
附图说明
图1是一个实施方式的成膜装置的概要截面图。
图2是一个实施方式的成膜装置的概要立体图。
图3是一个实施方式的成膜装置的概要俯视图。
图4是一个实施方式的成膜装置中的沿着旋转台的同心圆的概要截面图。
图5是表示一个实施方式的成膜装置的分离区域的概要截面图。
图6是表示密封构造的一例的概要图。
图7是表示密封构造的另一例的概要图。
图8是表示变更了密封构造时的温度与透过流量的关系的图。
具体实施方式
以下,参照附图来对并非用于限定本公开的示例性的实施方式进行说明。在所有附图中,对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的参照附图标记,并省略重复的说明。
〔处理装置〕
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造