[实用新型]低功耗高可靠性激光熔丝电路

权利要求书

1.一种低功耗高可靠性激光熔丝电路，包括芯片体、制备于芯片体内的下激光熔丝体F_DOWN以及用于读取下激光熔丝体F_DOWN逻辑状态的熔丝状态读取电路；其特征是：还包括制备于芯片体内且能与下激光熔丝体F_DOWN适配连接的上激光熔丝体F_UP，所述上激光熔丝体F_UP与下激光熔丝体F_DOWN以及熔丝状态读取电路适配连接；上激光熔丝体F_UP熔断时，通过熔丝状态读取电路能读取下激光熔丝体F_DOWN的逻辑状态为0，下激光熔丝体F_DOWN熔断时，通过熔丝状态读取电路能读取下激光熔丝体F_DOWN的逻辑状态为1。

2.根据权利要求1所述的低功耗高可靠性激光熔丝电路，其特征是：所述上激光熔丝体F_UP的一端与芯片体上的芯片电源端VDD连接，上激光熔丝体F_UP的另一端与下激光熔丝体F_DOWN的一端以及熔丝状态读取电路的输入端IN连接，下激光熔丝体F_DOWN的另一端与芯片体上的虚拟地端连接；

利用晶圆级测试针卡电路能对芯片体进行修调测试，所述晶圆级测试针卡电路的供电输出端与芯片体的芯片电源端VDD连接，晶圆级测试针卡电路的虚拟地端与芯片体的虚拟地端连接，晶圆级测试针卡电路的GND端与芯片体的GND端连接，在晶圆级测试针卡电路内，晶圆级测试针卡电路的虚拟地端与晶圆级测试针卡电路的GND端通过限流电阻Rt连接。

3.根据权利要求1所述的低功耗高可靠性激光熔丝电路，其特征是：所述上激光熔丝体F_UP的一端与芯片体上的虚拟VDD端连接，上激光熔丝体F_UP的另一端与下激光熔丝体F_DOWN的一端以及熔丝状态读取电路的输入端连接，下激光熔丝体F_DOWN的另一端与芯片体上的GND端连接；

还包括修调测试用的晶圆级测试针卡电路，所述晶圆级测试针卡电路的供电输出端与芯片体上的芯片电源端VDD连接，晶圆级测试针卡电路的虚拟VDD端与芯片体上的虚拟VDD端连接，晶圆级测试针卡电路的GND端与芯片体上的GND端连接；在晶圆级测试针卡电路内，晶圆级测试电路的供电输出端与晶圆级测试针卡电路的虚拟VDD端通过限流电阻Rm连接。

4.根据权利要求2所述的低功耗高可靠性激光熔丝电路，其特征是：所述熔丝状态读取电路包括PMOS管Q13以及NMOS管Q14，所述PMOS管Q13的栅极端、NMOS管Q14的栅极端与上激光熔丝体F_UP、下激光熔丝体F_DOWN连接，PMOS管Q13的源极端与芯片电源端VDD连接，NMOS管Q14的源极端与芯片体上的GND端连接，PMOS管Q13的漏极端与NMOS管Q14的漏极端相互连接后能形成熔丝状态读取电路的输出端OUT。

5.根据权利要求2所述的低功耗高可靠性激光熔丝电路，其特征是：所述熔丝状态读取电路包括PMOS管Q3、PMOS管Q4、PMOS管Q5、PMOS管Q6、NMOS管Q7以及NMOS管Q8，PMOS管Q3的源极端以及PMOS管Q3的衬底均与芯片体上的芯片电源端VDD连接，PMOS管Q3的漏极端与PMOS管Q4的源极端连接，PMOS管Q4的漏极端与PMOS管Q5的源极端连接，PMOS管Q5的漏极端与PMOS管Q6的源极端以及PMOS管Q9的源极端连接，PMOS管Q9的栅极端与PMOS管Q6的漏极端、NMOS管Q7的漏极端、NMOS管Q10的栅极端、PMOS管Q11的栅极端以及NMOS管Q12的栅极端连接；

NMOS管Q7的源极端与NMOS管Q8的漏极端、NMOS管Q10的源极端连接，NMOS管Q8的源极端、NMOS管Q8的衬底、NMOS管Q7的衬底以及NMOS管Q10的衬底均与芯片体上的GND端连接，PMOS管Q9的漏极端通过电阻R3与芯片体上的GND端连接，PMOS管Q9的衬底与芯片体的芯片电源端VDD连接，NMOS管Q10的漏极端通过电阻R2与芯片体上的芯片电源端VDD连接，PMOS管Q11的源极端以及PMOS管Q11的衬底均与芯片体上的芯片电源端VDD连接，NMOS管Q12的源极端以及NMOS管Q12的衬底均与芯片体上的GND端连接；

PMOS管Q4的衬底、PMOS管Q5的衬底以及PMOS管Q6的衬底均与芯片体上的芯片电源端VDD连接，PMOS管Q5的栅极端、PMOS管Q6的栅极端、NMOS管Q7的栅极端以及NMOS管Q8的栅极端相互连接后能形成所述熔丝状态读取电路的输入端IN，PMOS管Q11的漏极端与NMOS管Q12的漏极端相互连接后能形成所述熔丝状态读取电路的输出端OUT。