[实用新型]高密度IDF型引线框架

说明书

本实用新型适用于半导体封装技术领域，提供了一种高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、上挡杆和下挡杆；每个安装单元的上引脚插入位于其上方的安装单元的下引脚之间，且每个安装单元的上引脚与位于其上方的安装单元的下档杆间距设置，每个安装单元的下引脚与位于其下方的安装单元的上档杆间距设置。进而可以实现安装单元的高密度IDF型排列，降低生产成本，提高生产效率，且焊锡可以沿着上引脚以及下引脚的前端面以及圆角A上爬，可以满足JEDEC标准关于贴片产品爬锡高度的要求，进而可以在达到高密度IDF型大矩阵排布的同时兼顾引脚的可焊性要求。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，具体涉及到一种高密度IDF型引线框架。

背景技术

芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅起到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。分立器件和IC是两个相对的概念，分立器件是具有单一功能的芯片，而IC是集成了多种器件功能的复杂的集成电路，两者互不可替代，各自具有十分广泛的应用领域。目前分立器件主要是二极管、三极管、mos管产品，随着工艺的进一步成熟，芯片尺寸越来越小，单个圆片上集成的管芯数量越来越多。分立器件大都是贴片式封装，需要焊接到PCB板上使用。

传统IDF设计的SOT-23单元，例如申请号为201610017709.1的中国专利，虽然能够提高安装单元密度，但是由于其档杆(即dam bar，在集成电路封装领域，具体指设置于框架与外引脚之间以及外引脚与外引脚之间的空隙处的金属杆，塑封时可以起到阻止塑封料向外引脚处流动的作用，防止造成“溢胶”) 与与相邻的下方的引脚连接，进而在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术中SOT-23单元在经过镀锡以及切筋工序后引脚的横切面容易露出基材，进而导致引脚的横切面部分未镀锡，焊接性能较差的不足，提供了一种高密度IDF型引线框架。

本实用新型是这样实现的：高密度IDF型引线框架，包括多个并列设置的安装单元组，每个所述安装单元组包括多个水平排列的安装单元，每个包括上引脚、下引脚与上引脚连接的上档杆以及与下引脚连接的下档杆；

其中，每个所述安装单元的上引脚插入位于其上方的所述安装单元的所述下引脚之间，且每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆间距设置，每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆间距设置。

作为本实用新型的一个优选方案，每个所述安装单元的所述上引脚与位于其上方的所述安装单元的所述下档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm；每个所述安装单元的所述下引脚与位于其下方的所述安装单元的所述上档杆之间的间距大小为0.1mm-0.15mm。

作为本实用新型的一个优选方案，每个所述上引脚与所述上档杆相近处的外侧构造有圆角；

每个所述下引脚与所述下档杆相近处的外侧构造有圆角。

作为本实用新型的一个优选方案，所述圆角的的半径为0.08mm。

作为本实用新型的一个优选方案，所述圆角的角度为150°。

作为本实用新型的一个优选方案，每个所述安装单元中所述下引脚的数量为2个，每个所述安装单元中所述上引脚的数量为一个。

作为本实用新型的一个优选方案，还包括基板，所述基板上构造有多个并列设置的所述安装单元组。

作为本实用新型的一个优选方案，每个安装单元组与其相邻的安装单元组的距离为2.55mm。

作为本实用新型的一个优选方案，所述基板的宽度为78mm。