[实用新型]一种新型高压腔进气出气装置有效

专利信息
申请号: 201920761818.3 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN210065982U 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 刘洋 申请(专利权)人: 青岛精诚华旗微电子设备有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B1/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 气源进气管 气源 过滤器 本实用新型 高压腔体 进气调节 进气管道 三通接头 一端连接 进出气 针阀 进气调压阀 进气隔膜阀 进气手动阀 材料生长 出气装置 连接腔体 新型高压 减压 一分为二 安装盘 高压腔 减压器 失误率 进气 气路 腔体 体内
【说明书】:

实用新型提供一种新型高压腔进气出气装置,气源进气管道安装在气路安装盘上,所述气源进气管道一端连接气源,另一端连接高压腔体,气源进气管道上连接过滤器,过滤器通过气源进气管道连接进气调压阀,气源进气管道经减压器减压后经三通接头一分为二,一路接进气隔膜阀,一路接进气手动阀后合再接三通接头二为一,连接进气调节针阀,气源进气管道经进气调节针阀后连接腔体进出气管道,腔体进出气管道另一端直接连接高压腔体,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:使高压腔体内的气氛更加稳定,安装可靠,大大提升了材料生长的性能指标和一致性,降低了人为操作的失误率。

技术领域

本实用新型是一种新型高压腔进气出气装置,涉及一种半导体材料高压晶体生长工艺设备。

背景技术

晶体生长设备用于处理半导体材料如磷化铟等高压,在磷化铟材料生长过程中必须保持一定的高压气氛。

目前同类产品中,普通的晶体生长炉设备在磷化铟生长过程中,高压气氛会随温度的变化而改变,需要不断的进行充气、放气的过程,大多设备采用人工操作的方式,这样操作效率低,成本大,产品稳定性不好,而且在高压气氛时,充放气的精准度不高,充气压力往往瞬间增大很多,对晶体生长带来极大的不便。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种新型高压腔进气出气装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种新型高压腔进气出气装置,包括高压腔体、气路安装盘、过滤器、进气调压阀、压力传感器、进气隔膜阀、放气隔膜阀、进气调节针阀、出气调节针阀、压力表、进气手动阀、放气手动阀、气源进气管道、腔体进出气管道、放气管道、单向阀、卸荷阀,所述气源进气管道安装在气路安装盘上,所述气源进气管道一端连接气源,另一端连接高压腔体,气源进气管道上连接过滤器,过滤器通过气源进气管道连接进气调压阀,气源进气管道经减压器减压后经三通接头一分为二,一路接进气隔膜阀,一路接进气手动阀后合再接三通接头二为一,连接进气调节针阀,气源进气管道经进气调节针阀后连接腔体进出气管道,腔体进出气管道另一端直接连接高压腔体;

在腔体进出气管道上安装有三通接头,连接放气管道,放气管道的另一端安装有单向阀,与三通连接接头连接在一起,单向阀另一端连接四通接头,将出气一分为三,其中一路连接放气手动阀,一路连接放气隔膜阀,剩余一路连接卸荷阀。

进一步地,放气气体经放气手动阀和放气隔膜阀后合并,连接放气调节针阀。

进一步地,在腔体进出气管道上安装有压力传感器。

本实用新型的有益效果:本实用新型的一种新型高压腔进气出气装置,使高压腔体内的气氛更加稳定,安装可靠,大大提升了材料生长的性能指标和一致性,降低了人为操作的失误率。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1为本实用新型一种新型高压腔进气出气装置的结构示意图;

图2为本实用新型一种新型高压腔进气出气装置的气路原理示意图;

图3为本实用新型一种新型高压腔进气出气装置的压力控制原理示意图;

图中:高压腔体1、气路安装盘2、过滤器3、进气调压阀4、压力传感器5、进气隔膜阀6、放气隔膜阀7、进气调节针阀8、出气调节针阀9、进气手动阀10、放气手动阀11、气源进气管道12、腔体进出气管道13、放气管道14、单向阀15、卸荷阀16。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。

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