[实用新型]一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置有效
申请号: | 201920688380.0 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN210314482U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 孔伟成;赵勇杰 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;C23C16/458;C23C16/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230008 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 生产 石墨 烯异质结 装置 | ||
本实用新型属于化学气相沉积领域,具体公开了一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置,包括:设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器和可升降的下加热器;支撑架,固定设置在所述下加热器上;托盘,设置在所述支撑架远离所述下加热器的一侧,用于承载基板;悬浮催化剂装置,用于提供催化剂至所述基板正上方;所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小,且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架;所述支撑架可导电,所述基板通过所述托盘内嵌装的导电线电连接所述支撑架。本实用新型能够提高石墨烯异质结的质量保证。
技术领域
本实用新型属于化学气相沉积技术领域,特别是一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置。
背景技术
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备新材料已经成为越来越重要的方法,最典型的例子就是化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术大面积生长石墨烯异质结。现有装置中,用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition,CVD)制备石墨烯异质结时,通常直接把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上,而把生产石墨烯异质结的悬浮催化剂放置在基本上方。由于在制备石墨烯异质结的过程中,悬浮催化剂和基板之间的距离要控制在极小的反应距离内,通常是100μm,优选20μm到50μ。反映过程中,悬浮催化剂易于基板接触进而影响生产得到的石墨烯异质结的质量,为实现基板和催化剂之间的接触检测判断,常设置电路检测系统。
现有装置存在以下缺陷和不足:
1.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上,缩短了加热器本身离承载悬浮催化剂的载板之间的距离,进而易导致载板受热形变,载板受热形更易导致悬浮催化剂与基板的接触,进而更难保证生产得到的石墨烯异质结的质量。
2.把生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上,导致载板和加热器之间相对距离较近,约等于反应距离,且两者的相对表面积大,使得载板易受加热器影响而存在受热形变现象,该现象的存在加上载板和加热器两者的相对表面积大的具体装置环境以使得加热器朝向悬浮催化剂的表面和载板的接触,加热器和载板的接触将影响的用于基板和催化剂之间的接触检测判断的电路检测系统的准确度,进而不能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。
综上,现有技术的生产石墨烯异质结的基板放置到加热器上的装置不能有效保证生产得到的石墨烯异质结的质量。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置,以解决现有技术中的不足,它能够提高石墨烯异质结的质量保证。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置,所述装置包括:
设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器和可升降的下加热器;
支撑架,固定设置在所述下加热器上,且位于所述下加热器和所述上加热器之间;
托盘,设置在所述支撑架远离所述下加热器的一侧,用于承载基板;
悬浮催化剂装置,用于提供催化剂至所述基板正上方;
所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小,且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架;
所述支撑架可导电,所述基板通过所述托盘内嵌装的导电线电连接所述支撑架。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥本源量子计算科技有限责任公司,未经合肥本源量子计算科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920688380.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的