[实用新型]一种Micro LED的三维集成结构

说明书

本实用新型提供了一种Micro LED的三维集成结构，包括：具备Micro LED芯片阵列；第一绝缘钝化层，覆盖在Micro LED阵列第一表面，其具有开孔以露出Micro LED的正极焊盘和负极焊盘；第一金属布线层，设置于绝缘层的上表面，其通过开孔与芯片正极焊盘或负极焊盘连接；第二绝缘钝化层，设置在第一金属布线层和第一绝缘钝化层的上表面，将第一金属布线层上表面实现部分覆盖，将暴露区域作为外连接口；至少一个驱动芯片，具有两个以上的焊盘，分别与第一金属布线层上的金属电极为互连关系；驱动芯片位于第二绝缘钝化层的上表面。通过本实用新型，明显减小了封装面积，同时降低了整体Micro LED集成模块的厚度。

技术领域

本实用新型涉及一种Micro LED模块的结构和制作方法，尤其涉及Micro LED与驱动芯片的结构和制造方法。

背景技术

Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术；指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，而且还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。

Micro LED典型结构是具有PN接面二极管，所述PN接面二极管由直接能隙半导体构成。现阶段，对于Micro LED的制程，主要呈现为三大种类；第一种为芯片级焊接，将LED直接进行切割成微米等级的Micro LED，利用SMT技术或COB 技术，将微米等级的Micro LEDchip一颗一颗键接在显示基板上；第二种为外延级焊接，在LED的基体薄膜层上用感应耦合等离子离子蚀刻(ICP)，直接形成纳米等级的Micro LED基体薄膜结构，此结构之固定间距即为显示划素所需的间距，再将LED晶圆直接键接于驱动电路基板上，最后使用物理或化学机制剥离基板；第三种为薄膜转移,使用物理或化学机制剥离LED基板，以暂时基板承载LED基体薄膜层，再利用ICP形成微米等级的Micro LED基体薄膜结构，最后，利用特定的转移治具将其进行批量转移，键接于驱动电路基板上形成显示划素。

现有的Micro LED阵列与驱动芯片连接时，需要将每一个Micro LED分别于驱动芯片的焊盘进行电连接，造成金属再布线层的面积很大，进而造成整个 Micro LED阵列封装后的面积很大，同时金属再布线层的结构也很复杂。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题是提供一种Micro LED的三维集成结构，减小封装面积。

为了解决上述的技术问题，本实用新型提供了一种Micro LED的三维集成结构，包括：

具备Micro LED芯片阵列；

第一绝缘钝化层，覆盖在Micro LED阵列第一表面；所述第一绝缘钝化层具有开孔以露出Micro LED的正极焊盘和负极焊盘；第一金属布线层，设置于绝缘层的上表面，金属布线通过开孔与所述芯片正极焊盘或负极焊盘连接；

第二绝缘钝化层，设置在第一金属布线层和第一绝缘钝化层的上表面，将所述第一金属布线层上表面实现部分覆盖，将暴露区域作为外连接口；所述外连接口设置有金属电极；

至少一个驱动芯片，具有两个以上的焊盘，分别与第一金属布线层上的金属电极为互连关系；所述驱动芯片位于第二绝缘钝化层的上表面；

第二绝缘钝化层表面设有金属线路以及互连结构用于连接驱动芯片与外部器件。

在一较佳实施例中：所述第一金属布线层将Micro LED阵列上一行或一列上的正极焊盘相互连接、负极焊盘也相互连接后，分别与所述驱动芯片的相应焊盘连接。

在一较佳实施例中：所述Micro LED阵列上每一行或一列上的正极焊盘、负极焊盘分别连接至所述驱动芯片的对应焊盘。