[实用新型]三极管引线框架

说明书

本实用新型涉及一种三极管引线框架，包括若干个框架单元，框架单元包括散热区、芯片区和引脚区，相邻的框架单元之间通过上筋、中筋和底筋相连接，所述上筋、散热区、芯片区连为一整片形状结构，散热区位于芯片区外侧，相邻两框架单元的散热区间经上筋连接，散热区正面压制有多圈绕芯片区外形扩散的压痕且涂覆有散热硅胶层，散热区背面对应压痕形成凸棱且涂覆ZS‑411辐射散热降温涂料层；芯片区与引脚区的中间引脚经连接片连接，连接片上贴合环氧树脂胶片。该引线框架结构简单，较大提高芯片区散热性能。

技术领域

本实用新型涉及一种引线框架，具体说是一种三极管引线框架。

背景技术

伴随电子市场的发展，半导体无器件的集成度越来越高，半导体器件封装技术的重要性已经受到了关注。半导体器件的高集成度增加也使得引线的数目相应的增加，这就要求引线的布置也必须精细。引线框架是半导体封装中的骨架，它主要由三部分组成：散热区、芯片区和引脚区。而芯片在封装后的三极管通常采用胶接，其上散热单独通过芯片基片无法满足现有大功率三极管的使用要求。

发明内容

本实用新型提供了一种结构简单，较大提高芯片区散热性能的三极管引线框架。

本实用新型采用的技术方案是：一种三极管引线框架，包括若干个框架单元，框架单元包括散热区、芯片区和引脚区，相邻的框架单元之间通过上筋、中筋和底筋相连接，其特征在于：所述上筋、散热区、芯片区连为一整片形状结构，散热区位于芯片区外侧，相邻两框架单元的散热区间经上筋连接，散热区正面压制有多圈绕芯片区外形扩散的压痕且涂覆有散热硅胶层，散热区背面对应压痕形成凸棱且涂覆ZS-411辐射散热降温涂料层；芯片区与引脚区的中间引脚经连接片连接，连接片上贴合环氧树脂胶片。

所述引脚区包封绝缘材料PPF。

所述引脚区的左、右引脚上接焊接片，焊接片电镀银箔层。

所述芯片区电镀金箔层。

本实用新型将传统结构的上筋取消，将散热区围绕芯片区布置，并在散热区正面压制压痕以及背面形成凸棱，同时正面、背面各自涂覆散热硅胶层、ZS-411辐射散热降温涂料层，有效提高正面平面散热性能，兼顾背面多道凸棱增大散热面积的散热性能提高，使其满足大功率三极管日益增高的散热性能要求，有利于确保使用安全性能和延长使用寿命，同时采用带环氧树脂胶片的连接片连接引脚，防止长期存放、使用造成的氧化，进一步提高使用性能和寿命。

附图说明

下面结合附图作详细说明。

图1为本实用新型结构示意图；

图2为图1中A向视图。

图中：上筋1、中筋2、底筋3、芯片区4、散热区5、压痕6、凸棱7、散热硅胶层8、ZS-411辐射散热降温涂料层9、连接片10、环氧树脂胶片11、引脚区12、中间引脚13、左引脚14、右引脚15、焊接片16。

具体实施方式

如图1和图2中，一种三极管引线框架包括若干个框架单元，每个框架单元包括上筋1、中筋2、底筋3、芯片区4、散热区5、连接片10、引脚区12，相邻的框架单元之间通过上筋、中筋和底筋相连接，上筋、散热区、芯片区连为一整片形状结构，散热区5位于芯片区4外侧，芯片区电镀金箔层，相邻两框架单元的散热区间经上筋连接，散热区正面压制有多圈绕芯片区外形扩散的压痕6且涂覆有散热硅胶层8，散热区背面对应压痕形成凸棱7且涂覆ZS-411辐射散热降温涂料层9；芯片区与引脚区12的中间引脚13经连接片10连接，连接片上贴合环氧树脂胶片11，引脚区的左、右引脚14、15上接焊接片16，焊接片电镀银箔层，引脚区其他区域包封绝缘材料PPF。