[实用新型]垂直光电二极管和具有垂直光电二极管的光电转换器

权利要求书

1.一种垂直光电二极管，其特征在于，包括：

有源区，包括具有上表面和下表面的二极管；以及

第一接触焊盘和第二接触焊盘，电耦合到所述上表面和所述下表面，其中所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于远离所述有源区横向移位的位置处。

2.根据权利要求1所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述有源区由锗区的本征的下部分、以及所述锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而被形成在半导体材料层中。

3.根据权利要求2所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述锗区的所述上部分的横向壁与所述第一导电类型的第一掺杂区域接触，所述第一掺杂区域在所述半导体材料层的所述上表面之上延伸，所述第一接触焊盘被定位成与所述第一掺杂区域的上表面接触。

4.根据权利要求3所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区域的未由所述第一接触焊盘覆盖的部分位于所述有源区和所述第一接触焊盘之间。

5.根据权利要求3所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述锗区的所述下部分与第二导电类型的第二掺杂区域接触，所述第二掺杂区域一直延伸到所述半导体材料层的所述上表面，所述第二接触焊盘被定位成与所述第二掺杂区域的上表面接触。

6.根据权利要求5所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域由硅制成。

7.根据权利要求5所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第二掺杂区域部分地由SiGe制成。

8.根据权利要求5所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域各自在本征的锗区的一侧上延伸。

9.根据权利要求2所述的垂直光电二极管，其特征在于，绝缘沟槽至少部分地与所述锗区的第一横向表面接触，所述绝缘沟槽将所述有源区与所述第二接触焊盘分开。

10.根据权利要求9所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第一横向部分的不与所述绝缘沟槽接触的部分与本征硅接触。

11.根据权利要求1所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘之间的电势差表示所述有源区中的光子的数目。

12.根据权利要求1所述的垂直光电二极管，其特征在于，所述有源区和所述接触焊盘间隔开在400nm至800nm的范围内的距离。

13.一种具有垂直光电二极管的光电转换器，其特征在于，所述垂直光电二极管包括：

有源区，包括具有上表面和下表面的二极管；以及

第一接触焊盘和第二接触焊盘，电耦合到所述上表面和所述下表面，其中所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于远离所述有源区横向移位的位置处，其中所述有源区具有从所述有源区上方移位的二极管接触区。

14.根据权利要求13所述的光电转换器，其特征在于，还包括耦合到所述垂直光电二极管的光学波导。

15.根据权利要求13所述的光电转换器，其特征在于，所述有源区由锗区的本征的下部分、以及所述锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而被形成在半导体材料层中。

16.根据权利要求15所述的光电转换器，其特征在于，所述锗区的所述上部分的横向壁与所述第一导电类型的第一掺杂区域接触，所述第一掺杂区域在所述半导体材料层的所述上表面之上延伸，所述第一接触焊盘被定位成与所述第一掺杂区域的上表面接触。