[实用新型]在SOI衬底上形成的半导体器件

说明书

公开了一种在SOI衬底上形成的半导体器件。半导体器件包括：第一有源区，其包括源区和与源区在沟道长度方向上间隔开的漏区；与第一有源区在沟道宽度方向上间隔开的第三有源区；被配置为连接第一有源区和第三有源区并且具有比第一有源区窄的宽度的第二有源区；设置在第一有源区上的栅电极；以及设置在第一有源区和第三有源区之间的隔离区。

技术领域

本公开涉及在绝缘体上硅(SOI)衬底上形成的半导体器件。更具体地，本公开涉及一种包括SOI晶体管的半导体器件，其可以用作射频(RF)开关器件。

背景技术

通常，诸如形成在SOI衬底上的晶体管的半导体器件可以用作RF开关器件。例如，多个串联的SOI晶体管可以用作能够处理便携式电子设备中的功率电平的RF开关。

图1是示出用作RF开关器件的传统半导体器件的示意性平面图。

参照图1，用作RF开关器件的传统半导体器件100包括形成在SOI衬底102的上半导体层中的阱区110、形成在阱区110中的源区120和漏区122、形成在阱区110中的阱接触区130和形成在上半导体层上的栅电极140。此外，在上半导体层上形成与栅电极140连接的栅极接触垫142和虚设电极144，并且可以在栅极接触垫142、源极和漏区120和122以及阱接触区130上形成接触插塞150。可以通过离子注入工艺形成阱接触区130，并且可以使用虚设电极144以自对准方式执行离子注入工艺。

然而，由于虚设电极144和接触插塞150之间的寄生电容以及虚设电极144和SOI衬底102的下半导体层之间的寄生电容，半导体器件100的关态电容(C_off)会增加，而且此外半导体器件100的品质因数(FOM)可能劣化。

实用新型内容

本公开提供了一种能够减小关态电容的半导体器件。

根据本公开的一个方面，半导体器件可以包括：第一有源区，第一有源区包括源区和与源区在沟道长度方向上间隔开的漏区；与第一有源区在沟道宽度方向上间隔开的第三有源区；被配置为连接第一有源区和第三有源区并且具有比第一有源区窄的宽度的第二有源区；设置在第一有源区上的栅电极；以及设置在第一有源区和第三有源区之间的隔离区。

根据本公开的一些示例性实施例，第一有源区还可以包括具有第一导电类型的第一阱区，并且源区和漏区可以设置在第一阱区上并且具有第二导电类型。

根据本公开的一些示例性实施例，第三有源区可以包括具有第一导电类型的第三阱区，第二有源区可以包括第二阱区，其被配置为连接第一阱区和第三阱区并具有第一导电类型。

根据本公开的一些示例性实施例，第三有源区还可包括设置在第三阱区上的阱接触区。

根据本公开的一些示例性实施例，半导体器件还可包括衬底，该衬底包括下半导体层、上半导体层和设置在下半导体层和上半导体层之间的掩埋氧化物层，其中第一、第二和第三有源区可以设置在上半导体层中。

根据本公开的一些示例性实施例，源区和漏区可以具有与上半导体层相同的厚度。

根据本公开的一些示例性实施例，源区和漏区可以具有第二导电类型，并且第一有源区还可以包括第一阱区，其具有第一导电类型并且设置在源区和漏区之间。

根据本公开的一些示例性实施例，第三有源区可以包括阱接触区，其具有第一导电类型和与上半导体层相同的厚度，并且第二有源区可以包括第二阱区，其配置为连接第一阱区和阱接触区并具有第一导电类型。

根据本公开的一些示例性实施例，隔离区可以具有与上半导体层相同的厚度，并且可以设置在掩埋氧化物层上。

根据本公开的一些示例性实施例，栅电极可以具有比第二有源区宽的宽度。