[实用新型]在SOI衬底上形成的半导体器件

权利要求书

1.半导体器件包括：

第一有源区，其包括源区和与所述源区在沟道长度方向上间隔开的漏区；

第三有源区，其与所述第一有源区在沟道宽度方向上间隔开；

第二有源区，其配置为连接所述第一有源区和所述第三有源区并且具有比所述第一有源区窄的宽度；

栅电极，其设置在所述第一有源区上；以及

隔离区，其设置在所述第一有源区和所述第三有源区之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区还包括具有第一导电类型的第一阱区，并且

所述源区和所述漏区设置在所述第一阱区上并且具有第二导电类型。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第三有源区包括具有第一导电类型的第三阱区，并且

所述第二有源区包括第二阱区，其配置为连接所述第一阱区和所述第三阱区并具有第一导电类型。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第三有源区还包括设置在所述第三阱区上的阱接触区。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括衬底，所述衬底包括下半导体层、上半导体层和设置在所述下半导体层和所述上半导体层之间的掩埋氧化物层，

其中所述第一、第二和第三有源区设置在所述上半导体层中。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述源区和所述漏区具有与所述上半导体层相同的厚度。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述源区和所述漏区具有第二导电类型，并且

所述第一有源区还包括第一阱区，其具有第一导电类型并且设置在所述源区和所述漏区之间。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第三有源区包括阱接触区，其具有第一导电类型和与所述上半导体层相同的厚度，并且

所述第二有源区包括第二阱区，其配置为连接所述第一阱区和所述阱接触区并具有第一导电类型。

9.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述隔离区具有与所述上半导体层相同的厚度，并且设置在所述掩埋氧化物层上。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极具有比所述第二有源区宽的宽度。

11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括与所述第一有源区间隔开的栅极接触垫，

其中所述栅电极与所述栅极接触垫电连接。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二有源区在沟道宽度方向上延伸，并且所述栅电极沿所述第二有源区延伸。

13.半导体器件包括：

第一有源区，其包括多个杂质区，每个所述杂质区配置为用作源区或漏区并且沿沟道长度方向布置；

第三有源区，其在沟道宽度方向上与所述第一有源区间隔开；

多个第二有源区，其配置成连接所述第一有源区和所述第三有源区；

多个栅电极，其设置在所述第一有源区上；

第一隔离区，其设置在所述第一有源区、所述多个第二有源区和所述第三有源区外；以及

至少一个第二隔离区，其设置在所述第一有源区、所述多个第二有源区和所述第三有源区内。

14.如权利要求13所述的半导体器件，还包括衬底，所述衬底包括下半导体层、上半导体层和设置在所述下半导体层和所述上半导体层之间的掩埋氧化物层，

其中所述第一有源层、所述多个第二有源区和所述第三有源区设置在所述上半导体层中。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述第一有源区还包括第一阱区，所述第一阱区包括设置在所述多个杂质区之间并具有第一导电类型的至少一个沟道区。