[发明专利]发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

基板，包括衬底、栅极层以及绝缘层，所述栅极层设置在所述衬底上，所述绝缘层设置在所述栅极层上；

像素界定层，设置在所述基板上，所述像素界定层具有露出所述绝缘层的像素坑；

源极层，设置在所述像素坑内，并且覆盖所述像素坑的底部；以及

阻隔层，设置在所述像素坑内，并且覆盖所述像素坑的至少部分内侧壁；

沟道层，所述沟道层设置在所述源极层上；

发光功能层，所述发光功能层设置在所述沟道层上；

漏极层，所述漏极层整体覆盖于所述像素界定层、所述阻隔层以及所述发光功能层上，所述基板还包括漏极接线，所述漏极层经由所述像素界定层中的过孔连接于所述漏极接线。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述基板还包括源极接线，所述源极接线露出于所述像素坑的底部边缘，所述源极层与所述源极接线露出的部分连接，所述阻隔层至少覆盖所述源极接线以及该边缘位置对应的像素界定层的内侧壁。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述基板还包括平坦层，所述平坦层设置在衬底上且包覆所述栅极层、所述绝缘层以及所述源极接线，所述平坦层的一侧与所述绝缘层远离所述衬底的一侧齐平，所述平坦层的该侧设有露出所述源极接线的连接槽，所述源极层从所述绝缘层上延伸至所述连接槽的内壁并覆盖所述源极接线露出的部分，所述连接槽内覆盖所述源极层后形成沉积槽，所述阻隔层填充所述沉积槽并延伸至所述像素界定层的内侧壁上。

4.如权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述源极层厚度范围为0.5-20纳米。

5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述沟道层的厚度范围为1-1000纳米。

6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述沟道层的材料为有机半导体材料。

7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述漏极层的厚度范围为1纳米-10微米。

8.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取或制作设置有像素界定层的基板，所述基板包括衬底、栅极层以及绝缘层，所述栅极层设置在所述衬底上，所述绝缘层设置在所述栅极层上，所述像素界定层具有露出所述绝缘层的像素坑；

在所述像素坑内制作源极层，使所述源极层覆盖所述像素坑的底部；

在所述像素坑内制作阻隔层，使所述阻隔层覆盖所述像素坑的至少部分内侧壁；

在所述源极层上制作沟道层；

在所述沟道层上制作发光功能层；

制作漏极层，所述漏极层整体覆盖于所述像素界定层、所述阻隔层以及所述发光功能层上，所述基板还包括漏极接线，所述漏极层经由所述像素界定层中的过孔连接于所述漏极接线。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述源极层通过溶液法制作。

10.如权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述基板还包括源极接线，所述源极接线露出所述像素坑的底部边缘，制作所述源极层时使所述源极层与所述源极接线露出的部分连接，制作所述阻隔层时使所述阻隔层至少覆盖所述源极接线以及该边缘位置对应的像素界定层的内侧壁。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述基板还包括平坦层，所述平坦层设置在衬底上且包覆所述栅极层、所述绝缘层以及所述源极接线，所述平坦层的一侧与所述绝缘层远离所述衬底的一侧齐平，所述平坦层的该侧制作露出所述源极接线的连接槽，使所述源极层从所述绝缘层上延伸至所述连接槽的内壁并覆盖所述源极接线露出的部分，所述连接槽内覆盖所述源极层后形成沉积槽，使所述阻隔层填充所述沉积槽并延伸至所述像素界定层的内侧壁上。