[发明专利]一种功率模块封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包括衬板，所述衬板上设置有模块功能单元，所述模块功能单元上表面覆盖有电路板，所述电路板用于键合所述衬板与所述模块功能单元；

所述模块功能单元包括芯片模组，所述芯片模组包括第一芯片、第二芯片、第一金属导电块、第二金属导电块、第三金属导电块以及第四金属导电块，所述第一芯片设置在所述第三金属导电块的上表面，所述第二芯片设置在所述第四金属导电块的上表面；

在所述衬板上表面依次设置有第一金属层、第二金属层以及第三金属层，所述第三金属导电块与所述第一金属导电块并列设置在第一金属层上且所述第一金属导电块位于靠近所述第二金属层的一侧，所述第四金属导电块设置在所述第二金属层上，所述第二金属导电块设置在所述第三金属层上；

所述电路板包括电路板绝缘层以及依次设置在所述电路板绝缘层下表面的第四金属层、第五金属层以及第六金属层，所述第四金属层与所述第一芯片的源极面接触，所述第五金属层与所述第一金属导电块、所述第二芯片的源极同时面接触，所述第六金属层与所述第二金属导电块面接触；所述电路板还包括设置在所述电路板绝缘层上表面的第七金属层，所述第七金属层两端分别通过开设在所述电路板绝缘层上的第一过孔组、第二过孔组与所述第四金属层、所述第六金属层连接。

2.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第一芯片、第二芯片、第一金属导电块以及第二金属导电块的上表面处于同一水平面上。

3.根据权利要求2所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第三金属导电块上并联设置有多个所述第一芯片，所述第四金属导电块上并联设置有多个所述第二芯片。

4.根据权利要求1所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述电路板绝缘层下表面还设置有第十四金属层与第十五金属层，所述第十四金属层、所述第十五金属层分别与所述第一芯片的源极、所述第二芯片的源极面接触，且所述第十四金属层与所述第四金属层、所述第十五金属层与所述第五金属层均相互间隔;

所述电路板绝缘层上表面设置有第十二金属层与第十三金属层，所述第十二金属层与所述第十三金属层分别通过开设在所述电路板绝缘层上的第五过孔组、第六过孔组与所述第十四金属层、第十五金属层连接。

5.根据权利要求4所述的功率模块封装结构，其特征在于，

在所述电路板绝缘层下表面还设置有第八金属层与第九金属层，所述第八金属层与所述第九金属层分别与所述第一芯片的门极与所述第二芯片的门极面接触；

在所述电路板绝缘层上表面设置有第十金属层与第十一金属层，所述第十金属层与所述第十一金属层分别通过开设在所述电路板绝缘层上的第三过孔组、第四过孔组与所述第八金属层、所述第九金属层连接。

6.根据权利要求1或4或5所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第二金属层、所述第三金属层分别与外部的正极功率端子、负极功率端子连接。

7.根据权利要求5所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第一金属层至所述第十五金属层为铜层、铝层或其他适合半导体芯片连接的金属表面镀层。

8.根据权利要求1-5任一项所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述第一金属导电块、第二金属导电块、第三金属导电块以及第四金属导电块的材料均为钼铜合金、铝基碳化硅与铜中的一种。

9.根据权利要求1-5任一项所述的功率模块封装结构，其特征在于，所述衬板的材料采用氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或氮化硅陶瓷。