[发明专利]复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管

说明书

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管。所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。该复合材料具有很好的电子传输性能，用于量子点发光二极管的电子传输层，可以提高电子传输效率，增加传输层的电荷传输通量，从而提高器件的发光性能。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管。

背景技术

量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，用其作发光层可制成量子点发光二极管(QLED)。与有机电致发光二极管相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、寿命长、制作成本低等优势。其中，优化器件结构是提升QLED性能的一个大方向，如何通过优化电荷传输层来提高发光层的发光效率是最为重要的一个环节。

目前，ZnO、TiO₂等金属氧化物半导体材料常被用于制备QLED电子传输层，然而这些材料虽然有禁带宽度大、稳定性好、与量子点材料能级匹配度高等优点，但由于无机金属氧化物纳米材料表面缺陷较多、分散性较差、成膜均匀性较差，导致其电荷传输性能不如有机电子传输层材料。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种复合材料及其制备方法和应用，旨在解决现有n型金属氧化物电子传输性能不理想的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：

配制含有n型金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物的混合溶液；

将所述混合溶液进行固液分离，得到复合材料；

其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。

本发明提供的复合材料的制备方法将n型金属氧化物纳米颗粒与立方烷类化合物的共同分散在溶液中，经固液分离得到复合材料，该复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物，因该立方烷类化合物表面有丰富的电子云，可以跟n型氧化物纳米颗粒表面的相对远离电子的金属原子产生相互作用力，从而使立方烷类化合物以较近的分子距离吸附在n型金属氧化物纳米颗粒表面，可以为n型金属氧化物纳米颗粒提供桥连效应，因此该制备方法得到的复合材料具有很好的电子传输性能，用于量子点发光二极管的电子传输层，可以提高电子传输效率，增加传输层的电荷传输通量，从而提高器件的发光性能。

本发明另一方面提供一种复合材料，所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。

本发明提供的复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物，该立方烷类化合物表面有丰富的电子云，可以跟n型氧化物纳米颗粒表面的相对远离电子的金属原子产生相互作用力，从而使立方烷类化合物以较近的分子距离吸附在n型金属氧化物纳米颗粒表面，可以为n型金属氧化物纳米颗粒提供桥连效应，从而提高颗粒间的电子传输效率，将该复合材料用于量子点发光二极管的电子传输层，可以提高电子传输效率，增加传输层的电荷传输通量，从而提高器件的发光性能。

本发明的另一个目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决量子点发光二极管的电子传输性能不理想的技术问题。为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层由本发明所述的制备方法得到的复合材料或本发明所述的复合材料组成。