[发明专利]复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管有效
申请号: | 201911414698.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130784B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 及其 制备 方法 应用 量子 发光二极管 | ||
1.一种复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
配制含有n型金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物的混合溶液,所述混合溶液中的所述n型金属氧化物纳米颗粒与所述立方烷类化合物的质量比为1:(0.15-0.3);
将所述混合溶液进行固液分离,得到复合材料;所述固液分离包括在130-200℃的条件下退火处理;
其中,所述复合材料包括所述n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的所述立方烷类化合物,所述立方烷类化合物吸附在所述n型金属氧化物纳米颗粒表面,所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物。
2.如权利要求1所述的复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括:碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳元素大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种。
3.如权利要求2所述的复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳原子数大于8的有碳支链的立方烷中,碳支链为1-4个碳的支链;和/或,
所述碳原子数大于8的无碳支链的高立方烷选自9-20个碳的高立方烷;和/或,
所述碳原子数大于8的有碳支链的高立方烷中,碳支链为1-4个碳的支链。
4.如权利要求1-3任一项所述的复合材料的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中的n型金属氧化物纳米颗粒的浓度范围为10-100mg/mL;和/或,
所述混合溶液中的n型金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、氧化锆纳米颗粒和氧化钛纳米颗粒中的至少一种。
5.一种复合材料,其特征在于,所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物,所述立方烷类化合物吸附在所述n型金属氧化物纳米颗粒表面;其中,所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物,所述n型金属氧化物纳米颗粒与所述立方烷类化合物的质量比为1:(0.15-0.3)。
6.如权利要求5所述的复合材料,其特征在于,所述n型金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、氧化锆纳米颗粒和氧化钛纳米颗粒中的至少一种;和/或,
所述碳原子数不小于8的立方烷类化合物包括:碳原子数为8的立方烷、碳原子数大于8的有碳支链的立方烷和碳元素大于8的无碳支链或有碳支链的高立方烷中的至少一种。
7.如权利要求6所述的复合材料,其特征在于,所述碳原子数大于8的有碳支链的立方烷中,碳支链为1-4个碳的支链;和/或,
所述碳原子数大于8的无碳支链的高立方烷选自9-20个碳的高立方烷;和/或,
所述碳原子数大于8的有碳支链的高立方烷中,碳支链为1-4个碳的支链。
8.如权利要求1-4任一项所述的制备方法得到的复合材料或权利要求5-7任一项所述的复合材料作为电子传输材料的应用。
9.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层,其特征在于,所述电子传输层由权利要求1-4任一项所述的制备方法得到的复合材料或权利要求5-7任一项所述的复合材料组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择