[发明专利]包括可变电阻层的半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

堆叠结构，包括交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层；以及

柱结构，设置在所述堆叠结构的侧表面上，

其中所述柱结构包括：

绝缘柱；

可变电阻层，设置在所述绝缘柱上并且位于所述绝缘柱和所述堆叠结构之间；

沟道层，设置在所述可变电阻层上并且位于所述可变电阻层和所述堆叠结构之间；和

栅电介质层，设置在所述沟道层上并且位于所述多个互连层和所述沟道层之间，

其中所述沟道层设置在所述可变电阻层和所述栅电介质层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述可变电阻层包括选自由以下构成的组的至少一种化合物：NiO、CuO、CoO、Fe₂O₃、HfO、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、SrTiO₃(STO)、SrZrO₃、AlO、SiO、SiN、镧锶锰氧化物(LSMO)、镧钙锰氧化物(LCMO)、镨钙锰氧化物(PCMO)、镨镧钙锰氧化物(PLCMO)、钇钡铜氧化物(YBCO)、铋锶钙铜氧化物(BSCCO)、Bi:SrTiO₃、Cr:SrTiO₃、HfSiO、AlSiO、钨氧化物(WO)、莫特、GeSbTe、掺碳(C)的GeSbTe、掺氮(N)的GeSbTe、SnSbTe、GeAsTe、GeSbSe、GeTe-Sb₂Te₃、Zr₆₀Al₁₅Ni₂₅和Fe-Co-B-Si-Nb。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述可变电阻层与所述沟道层直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述沟道层包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括连接到所述沟道层的第一端的位线。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括连接到所述沟道层的第二端的源线。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述栅电介质层与所述多个互连层和所述沟道层直接接触。

8.一种半导体存储器件，包括：

第一堆叠结构和第二堆叠结构，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构每个包括交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层；

隔离绝缘层，设置在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间；以及

柱结构，设置在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间，并且构造为延伸穿过所述隔离绝缘层，

其中所述柱结构包括：

绝缘柱；

第一可变电阻层，设置在所述绝缘柱上并且位于所述绝缘柱和所述第一堆叠结构之间；

第二可变电阻层，设置在所述绝缘柱上并且位于所述绝缘柱和所述第二堆叠结构之间；

第一沟道层，设置在所述第一可变电阻层上并且位于所述第一可变电阻层和所述第一堆叠结构之间；

第二沟道层，设置在所述第二可变电阻层上并且位于所述第二可变电阻层和所述第二堆叠结构之间；

第一栅电介质层，设置在所述第一沟道层上并且位于所述第一沟道层和所述第一堆叠结构之间；和

第二栅电介质层，设置在所述第二沟道层上并且位于所述第二沟道层和所述第二堆叠结构之间。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二沟道层与所述第一沟道层是连续的。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，还包括连接到所述第一沟道层的第一端的位线和连接到所述第二沟道层的第二端的源线。