[发明专利]一种缺陷石墨烯与一种锂金属电池

权利要求书

1.一种缺陷石墨烯的制备方法，包括以下步骤：

A1)将铜箔进行预处理；

B1)将预处理后的铜箔置于CVD炉中，通入氩气100～200sccm，氢气10～30sccm，升温至1030～1035℃，再调整氢气的通入量至130～150sccm，通入10～30sccm的混合气后进行生长，所述生长的时间为5～30min，得到缺陷石墨烯，所述混合气为甲烷和氩气；

或，

A2)将生长在铜箔上的石墨烯按照图案形状进行激光刻蚀，得到缺陷石墨烯；所述激光刻蚀的频率为50～100Hz，速度为50～80mm/s，功率为40～60W。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B1)中，所述升温为阶段升温的方式，具体为：

将CVD炉从室温升至300～400℃，再从300～400℃升温至900～1000℃，最后从900～1000℃升温至1030～1035℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B1)中，所述生长后采用自然冷却的降温方式。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B1)中，所述铜箔的厚度为10～30μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B1)中，所述预处理的方式具体为：

将铜箔置于酸液中超声分散清洗10～15min后采用去离子水清洗2～3次，再置于无水乙醇中超声分散清洗20～30min后采用去离子水清洗1～2次，最后干燥。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A2)中，所述频率为70～80Hz，所述速度为70～80mm/s，所述功率为45～55W。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A2)中，所述激光刻蚀的次数为2～5次。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图案形状为井字形或回字形。

9.一种锂金属电池，包括正极、锂金属负极和集流体，其特征在于，所述集流体为权利要求1～8任一项所述的制备方法所制备的缺陷石墨烯改性的铜箔。