[发明专利]一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法

权利要求书

1.一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法，其特征在于按以下步骤进行：

第一步：准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为B，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺产品；

第二步：利用AMAYA-800V型常压CVD机台在单晶硅原料背面进行二氧化硅薄膜生长，成膜条件为：硅烷和氧气流量分别为51sccm和612sccm，硅烷和氮气载气流量分别为18slm和12slm；成膜时硅烷和氧气在作业开始时通过氮气被运送至反应腔内硅片表面参与反应；承载硅片表面托盘温度为430±5℃；

第三步，使用F-50膜厚测试仪测量单晶硅上所制备的二氧化硅薄膜厚度，经过测量后，在上述条件下的AMAYA-800V常压CVD机台生长二氧化硅薄膜厚度为

第四步，将SCCH-1329清洗机4#清洗槽排空，清洗槽指氢氟酸槽，依次注入0.6L的氢氟酸和59.4L的纯水，保证该槽中的氢氟酸是浓度为1％的新液；

第五步，将硅片放在SCCH-1329清洗机上料台上，设置清洗程序，让有薄膜的硅片分别进行如下步骤：①4#清洗槽浸泡300s，清洗槽指1％浓度氢氟酸新液槽；②在纯水溢流槽浸泡300s并上下摆动以去除氢氟酸药液；③甩干机甩干300s，干燥硅片表面残留水分；

第六步，利用二氧化硅溶于氢氟酸的原理，经过上述氢氟酸腐蚀后的单晶硅上的二氧化硅薄膜会变薄，且变薄程度与生长的二氧化硅薄膜致密性成反比，即二氧化硅薄膜越致密，相同时间内经氢氟酸槽被腐蚀量就越少；

第七步，再次利用F-50膜厚测试仪测量经过上述步骤后的单晶硅上二氧化硅薄膜厚度，经过测量后，二氧化硅薄膜厚度为

第八步，经过1％浓度氢氟酸新液腐蚀后的二氧化硅薄膜标准减薄速率＜实际减薄速率为