[发明专利]垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法

说明书

垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。

技术领域

实施方式涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种垂直半导体装置及用于制造该垂直半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置可以包括具有多个存储器单元的存储器单元阵列。存储器单元阵列可以包括以各种结构布置的存储器单元。为了提高半导体装置的集成度，可以在基板上以三维布置存储器单元。

发明内容

本发明的示例性实施方式涉及能够提高可靠性的垂直半导体装置及用于制造该垂直半导体装置的方法。

根据实施方式，一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物来形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。

根据实施方式，一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将第一沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为共形的阻挡层；在上面吸附有第一沉积抑制剂的共形的阻挡层上形成电荷储存层；以及将第二沉积抑制剂吸附在电荷储存层的表面上。

根据实施方式，垂直半导体装置可以包括：下部结构；形成于下部结构上方的介电层和栅电极的交替层叠物；贯穿交替层叠物的开口；形成在开口的侧壁上的阻挡层；形成在阻挡层的侧壁上形成的电荷储存层；以及形成于阻挡层和电荷储存层之间的界面处的吸附层。

附图说明

图1是例示根据实施方式的半导体装置的截面图。

图2A至图2G是例示根据实施方式的用于制造半导体装置的方法的截面图。

图3是例示根据实施方式的垂直半导体装置的截面图。

图4A至图4K是例示根据实施方式的用于制造垂直半导体装置的方法的截面图。

图5A和图5B是例示根据实施方式的用于制造垂直半导体装置的方法的截面图。

图6是例示根据实施方式的用于制造垂直半导体装置的方法的截面图。

具体实施方式

参照代表本教导的示意图的截面图、平面图和框图来描述本文描述的各种示例和实施方式。因此，图示的形状可以通过制造技术和/或公差而修改。因此，本教导的实施方式不限于所示的特定形式，而是还包括根据制造工艺产生的形状变化。图中例示的区域具有示意性属性，并且图中例示的区域的形状旨在例示元件的区域的具体类型，并非旨在限制本教导的范围。

图1是例示根据实施方式的半导体装置100的截面图。

参照图1，半导体装置100可以包括基板101、位于基板101上的模具层102、形成于模具层102中的开口103以及填充开口103的间隙填充结构108。间隙填充结构108可以包括形成于开口103的侧壁上的第一衬垫层104、形成于第一衬垫层104的侧壁上的第二衬垫层105、以及在第二衬垫层105上填充开口103的填充物106。间隙填充结构108还可以包括形成在第一衬垫层104和第二衬垫层105之间的界面处的吸附层107。