[发明专利]射频引入装置及半导体加工设备

说明书

本申请实施例提供了一种射频引入装置及半导体加工设备。该射频引入装置用于向位于半导体工艺炉内部的晶舟引入射频，包括：支撑机构、前射频机构及后射频机构；支撑机构包括支撑杆，且支撑杆的第一端与半导体工艺炉的炉口连接，支撑杆的第二端与半导体工艺炉的炉尾连接；前射频机构及后射频机构并列设置于支撑杆上，用于承载晶舟；前射频机构靠近支撑杆的第一端设置，后射频机构靠近支撑杆的第二端设置；前射频机构与晶舟的一端电连接，后射频机构与晶舟的另一端电连接。本申请实施例实现了对晶舟的射频进行双向引入，从而改变半导体工艺炉内晶舟正负极间的电流方向，进而改善了工艺的均匀性和钝化效果。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种射频引入装置及半导体加工设备。

背景技术

目前，太阳能电池是解决日益严峻的能源及环境问题的重要选项，而晶硅电池由于其在成本及效率等多方面的优势，在整个光伏产业中始终占据举足轻重的市场份额。经过多年的研究和发展，人们已经认识到光管理(Light Management)和钝化(Passivating)是提高晶硅电池效率的有效途径。一般而言，光管理主要是对电池受光面的处理，包括表面织构化及增加减反射膜，从而极大地提高对入射太阳光的吸收；钝化则是在电池前后表面淀积某些介电材料，以减少表面缺陷所导致的分子复合。

在晶硅电池的实际生产过程中，减反射膜和/或钝化膜的制备普遍采用等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)设备来实现。例如，对于在晶硅电池产业中占主导地位的铝背场P型电池，N型发射极表面(即受光面)均利用PECVD设备淀积SiNx:H，可同时起减反射和钝化作用；对于目前正在崛起的钝化发射极和背面电池(Passivated Emitterand Rear Cell,PERC)，AlOx/SiNx叠层被认为具有更佳的背钝化效果，而这两层薄膜均可用PECVD设备进行制备。现有技术中的一般采用晶舟承载晶硅电池的基片，然后将晶舟置入PECVD设备中进行工艺。但是由于现有电极与晶舟的连接方式，导致工艺性能不佳；另外每次工艺时均需将晶舟与设备的电极进行连接，操作较为不便影响了工艺效率，并且影响了安全性及稳定性。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种射频引入装置及半导体加工设备，用以解决现有技术存在工艺性能不佳、工艺效率较低以及安全稳定性不佳的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种射频引入装置，用于向位于半导体工艺炉内部的晶舟引入射频，包括：支撑机构、前射频机构及后射频机构；所述支撑机构包括支撑杆，且所述支撑杆的第一端与所述半导体工艺炉的炉口连接，所述支撑杆的第二端与半导体工艺炉的炉尾连接；所述前射频机构及所述后射频机构并列设置于所述支撑杆上，用于承载所述晶舟；所述前射频机构靠近所述支撑杆的第一端设置，所述后射频机构靠近所述支撑杆的第二端设置；所述前射频机构与所述晶舟的一端电连接，所述后射频机构与所述晶舟的另一端电连接。

于本申请的一实施例中，所述支撑机构包括并列设置的两个所述支撑杆，并且所述支撑杆的第一端、第二端均与所述半导体工艺炉的法兰连接。

于本申请的一实施例中，所述前射频机构包括两个前承载块，两个所述前承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述晶舟的前端；所述后射频机构包括两个后承载块，两个所述后承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述晶舟的后端；所述前射频机构还包括前引入件及前引入部，所述前引入件设置于所述支撑杆上，并且位于所述后射频机构与所述支撑杆的第二端之间，所述前引入件与所述前引入部电连接；所述前射频机构还包括有连接杆，所述连接杆的两端分别与所述前承载块及所述前引入件电连接。

于本申请的一实施例中，所述连接杆包覆有绝缘套。

于本申请的一实施例中，所述前射频机构还包括有定位件，所述定位件固定设置于所述支撑杆上，用于定位所述前承载块。