[发明专利]阵列基板的制作方法及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，阵列基板的制作方法包括：提供基底；在基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；图案化保护层及非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出基底未与第一结构及第二结构接触的部分；其中，第一结构位于第一有源层区域，第二结构环绕第二有源层区域，第一结构中的保护层的厚度大于第二结构中的保护层的厚度；在第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。本发明实施例能够减少阵列基板制作工艺中掩膜工艺的次数，降低制作成本。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，现有的显示面板多采用LTPS(低温多晶硅)技术制成，但存在漏电流较大的问题。

为了降低显示面板的漏电流，现有的显示面板采用LTPO(低温多晶氧化物)工艺，然而，其工艺步骤较为复杂，成本较高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法及显示面板，以降低阵列基板的制作难度，节省成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；图案化所述保护层及所述非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出所述基底未与所述第一结构及所述第二结构接触的部分；其中，所述第一结构位于所述第一有源层区域，所述第二结构环绕所述第二有源层区域；所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度；在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。

可选地，在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层包括：将金属氧化物材料前驱体溶液旋涂于所述第二有源层区域的基底上；退火处理以得到所述金属氧化物层。

可选地，图案化所述保护层及所述非晶硅层以暴露出部分所述基底，并形成至少一个第一结构和至少一个第二结构包括：利用半色调掩膜工艺形成所述第二结构中的保护层，以使所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度。

可选地，所述保护层的材料为光刻胶。

可选地，所述第二结构中的保护层的厚度为0.6微米至0.8微米。

可选地，所述非晶硅层的厚度为500埃。

可选地，在所述基底上被所述第二结构环绕的区域形成金属氧化物层之后还包括：去除所述第二结构；去除所述第一结构中的保护层；晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层。

可选地，晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层包括：利用掩膜版遮挡所述金属氧化物层，并暴露出所述非晶硅层，通过退火以晶化所述第一结构中的非晶硅层。

可选地，晶化所述第一结构中的非晶硅层后还包括：形成覆盖所述基底、所述多晶硅层及所述金属氧化物层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述多晶硅层及所述金属氧化物层对应的栅极；对所述多晶硅层及所述金属氧化物层进行离子注入；形成覆盖所述栅极绝缘层及所述栅极的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成源漏极层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括阵列基板，其中，所述阵列基板采用利用第一方面所述的制作方法制作；所述第一结构的非晶硅层与所述金属氧化物层同层设置，且均位于所述基底上。