[发明专利]一种散热装置及通信设备有效

专利信息
申请号: 201911340962.0 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN110993576B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 叶文;李泉明;陈君 申请(专利权)人: 西安华为技术有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/427;H01L23/367
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 望紫薇
地址: 710075 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 散热 装置 通信 设备
【说明书】:

本申请提供了一种散热装置及通信设备,散热装置包括一个散热壳体,以及设置在散热壳体内的散热通道;散热壳体设置有用于与器件导热连接的至少两个散热区,散热通道内的流体流经散热区。散热壳体内设置有沿流体的流动方向设置的分流板,分流板并将散热通道划分为主流道以及分流道;分流板设置有用于汇入主流道的通口。以降低散热区的热量传递到分流区。在上述技术方案中,通过主流道内的流体对散热区进行散热。并且通过分流道内的低温流体汇入到主流道内降低位于下游的散热区对应的主流道部分的流体的热量,改善了散热区对器件散热的效果。

技术领域

本申请涉及到通信技术领域,尤其涉及到一种散热装置及通信设备。

背景技术

大功率半导体器件在电力电子行业中有着广泛的应用,随着大功率半导体器件热流密度越来越大,如果不能有着良好的散热措施,则器件的使用环境会限制颇多,同时也会限制产品性能的发挥。当前电子设备向着小型化、集成化发展,留给散热组件的空间并不大,大功率半导体器件在高功率密度下的散热能力亟待提高。例如在电机控制器(MCU)里,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的热流密度越来越高,良好的散热措施将提升其最大电流输出能力,进而提升整车的性能,提高产品的竞争力。

由于功率密度的提升,目前的大功率半导体器件多用液冷方式进行冷却,并存在多个大功率半导体器件共用一个散热器的场景。当热流密度较低时,冷却液的温升小,对器件的均温性影响较小,而当热流密度越来越高时,冷却液从进口到出口的过程温升较大,最终导致多个相同损耗的半导体温升存在明显差异,均温性差。

发明内容

本申请提供了一种散热装置及通信设备,用以改善对大功率半导体器件的散热效果。

第一方面,提供了一种散热装置,用于给器件散热,该散热装置包括一个散热壳体,以及设置在所述散热壳体内的散热通道,散热通道内可填充有用于散热的流体;所述散热壳体设置有用于与器件导热连接的至少两个散热区,且所述至少两个散热区沿所述流体的流动方向排列,流体流经上述任意一个散热区。所述散热壳体内设置有沿所述流体的流动方向设置的分流板,分流板并将所述散热通道划分为主流道以及分流道;其中,所述分流板在所述至少两个散热区中任意相邻的两个散热区之间的位置设置有用于汇入主流道的通口。在上述技术方案中,通过主流道内的流体对散热区进行散热。并且通过分流道内的低温流体汇入到主流道内降低位于下游的散热区对应的主流道部分的流体的热量,改善了散热区对器件散热的效果。

在一个具体的可实施方案中,所述分流道位于所述主流道外,且所述分流道内的流体不经过所述至少两个散热区。以降低散热区的热量传递到分流区。

在一个具体的可实施方案中,所述多个散热区中,散热区对应的器件热量越大,位于该散热区上游的分流道宽度越大。针对不同散热区的器件产生的热量调整低温流体加入量,改善散热效果。

在一个具体的可实施方案中,分流道可以有多种不同的设置方式,如分流道的宽度相等;或者,沿所述流体流动的方向,所述分流道逐渐变窄。以实现针对不同的散热要求。

在一个具体的可实施方案中,所述分流道呈阶梯形变窄,且沿流体的流动方向,任一通口两侧的分流道的宽度不同。改善散热效果。

在一个具体的可实施方案中,所述通口处设置有用于将所述分流道内的流体导入到所述主流道内的导向结构。方便分流道的流体进入到主流道中。

在一个具体的可实施方案中,导向结构在第一平面的垂直投影位于其相邻的两个散热区在第一平面的垂直投影外,以避免导向结构影响到散热。

在一个具体的可实施方案中,所述散热壳体上设置有进液口以及出液口,其中,所述进液口与所述出液口沿所述流体的流动方向排列,所述至少两个散热区设置在所述进液口与所述出液口之间。提高散热效果。

在一个具体的可实施方案中,所述分流板靠近所述进液口的一端设置有导流折弯结构。方便分流。

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