[发明专利]对准方法及校准方法有效

专利信息
申请号: 201911334523.9 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN111128829B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 黄莉晶 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L23/544
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 对准 方法 校准
【说明书】:

发明提供一种对准方法及校准方法,通过设定一母程式,获取第一标记点和第二标记点对应的晶圆的位置,由此通过第一标记点和所述第二标记点调整晶圆的位置,实现晶圆与电子束检测机台的位置对准。以及通过设定一子程式,在所述子程式中设置第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置,进而得到第一芯片标记点和第二芯片标记点;进一步获取所述第一芯片标记点和所述第二芯片标记点的坐标,并通过所述坐标计算出所述芯片的尺寸,然后,比较所述芯片和所述虚拟芯片的尺寸,确定是否校准多个所述虚拟芯片的尺寸,以校准多个所述虚拟芯片的位置,由此校准与多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种对准方法及校准方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小,半导体工艺也越来越复杂,电子束检测机台应用比较广泛,在研发阶段能够帮助寻找工艺窗口,在实现量产过程中能够辅助工程师发现系统问题并及时调整工艺窗口,以及能够检测晶圆的缺陷。目前电子束检测机台每个程式均是一个独立的程式,建立时间花费较长,并且晶圆与电子束检测机台的位置对准较困难。由于电子束检测机台对于扫描区域的定位精确度要求极高,因此需要形成与晶圆匹配的晶圆图,现有定义晶圆图的方式主要通过SEM(扫描电子显微镜)影像对比,但由于扫描层的差异导致SEM影像不同,故而每一层均需要定义晶圆图。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准方法及校准方法,以解决晶圆与电子束检测机台的位置对准困难以及不同扫描层的影像差异无法共用相同的程式的问题。

为解决上述问题,本发明提供一种对准方法,所述对准方法包括:

设定一母程式,所述母程式包括所述晶圆的第一特征区和第二特征区的位置;

分别获取所述第一特征区和所述第二特征区的所述晶圆的图像,以得到第一图像组和第二图像组;

将所述第一图像组和所述第二图像组进行比较,以得到第一标记图像和第二标记图像;

获取所述第一标记图像对应的所述晶圆的位置以及获取所述第二标记图像对应的所述晶圆的位置,以得到第一标记点和第二标记点;

通过所述第一标记点和所述第二标记点调整所述晶圆的位置,以实现所述晶圆在所述电子束检测机台中的位置对准。

可选的,在所述的对准方法中,所述第一图像组包括至少9张第一图像,所述第二图像组包括至少9张第二图像。

可选的,在所述的对准方法中,将所述第一图像组和所述第二图像组进行比较的方法包括:

将每一所述第一图像和所有所述第二图像进行对比,以得到重合度最高的一所述第一图像和一所述第二图像;

确定对比得到的所述第一图像和所述第二图像中重合的图像,并将对比得到的所述第一图像中的所述重合的图像作为第一标记图像,以及将对比得到的所述第二图像中的所述重合的图像作为第二标记图像。

可选的,在所述的对准方法中,所述第一特征区和所述第二特征区分别位于所述晶圆中心的两侧。

可选的,在所述的对准方法中,通过所述第一标记点和所述第二标记点调整所述晶圆的位置包括:以所述第一标记点和所述第二标记点为基准点,调整所述晶圆在所述电子束检测机台中的位置。

基于同一发明构思,本发明还提供一种校准方法,用于校准与晶圆的多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置,其特征在于,所述校准方法包括:

设定一子程式,所述子程式包括第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置,所述第一芯片特征区和所述第二芯片特征区分别位于对角相邻的两个所述芯片上;

形成一虚拟晶圆,所述虚拟晶圆包括多个所述虚拟芯片;

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