[发明专利]对准方法及校准方法有效
| 申请号: | 201911334523.9 | 申请日: | 2019-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN111128829B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 黄莉晶 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对准 方法 校准 | ||
1.一种对准方法,用于电子束检测机台与晶圆的位置对准,其特征在于,所述对准方法包括:
设定一母程式,所述母程式包括所述晶圆的第一特征区和第二特征区的位置;
通过电子束检测机台的成像系统分别获取所述第一特征区和所述第二特征区的所述晶圆的图像,以得到第一图像组和第二图像组;
将所述第一图像组和所述第二图像组进行比较,以得到重合度最高的一所述第一图像和一所述第二图像,确定对比得到的所述第一图像和所述第二图像中重合的图像,并将对比得到的所述第一图像中的所述重合的图像作为第一标记图像,以及将对比得到的所述第二图像中的所述重合的图像作为第二标记图像;
获取所述第一标记图像对应的所述晶圆的位置以及获取所述第二标记图像对应的所述晶圆的位置,以得到第一标记点和第二标记点,其中,所述第一标记点和所述第二标记点均位于所述晶圆中心的两侧;
通过所述第一标记点和所述第二标记点调整所述晶圆的位置,以实现所述晶圆在所述电子束检测机台中的位置对准。
2.如权利要求1所述的对准方法,其特征在于,所述第一图像组包括至少9张第一图像,所述第二图像组包括至少9张第二图像。
3.如权利要求1所述的对准方法,其特征在于,所述第一特征区和所述第二特征区分别位于所述晶圆中心的两侧。
4.如权利要求1所述的对准方法,其特征在于,通过所述第一标记点和所述第二标记点调整所述晶圆的位置包括:以所述第一标记点和所述第二标记点为基准点,调整所述晶圆在所述电子束检测机台中的位置。
5.一种校准方法,用于校准与晶圆的多个芯片对应的多个虚拟芯片的位置,其特征在于,所述校准方法包括:
设定一子程式,所述子程式包括第一芯片特征区和第二芯片特征区的位置,所述第一芯片特征区和所述第二芯片特征区分别位于对角相邻的两个所述芯片上;
形成一虚拟晶圆,所述虚拟晶圆包括多个所述虚拟芯片;
分别获取所述第一芯片特征区和所述第二芯片特征区的所述芯片的图像,以得到第一芯片图像组和第二芯片图像组;
将所述第一芯片图像组和所述第二芯片图像组进行比较,以得到重合度最高的一所述第一芯片图像和一所述第二芯片图像,确定对比得到的所述第一芯片图像和所述第二芯片图像中重合的芯片图像,并将对比得到的所述第一芯片图像中的所述重合的芯片图像作为第一芯片标记图像,以及将对比得到的所述第二芯片图像中的所述重合的芯片图像作为第二芯片标记图像;
获取所述第一芯片标记图像对应的所述芯片的位置以及获取所述第二芯片标记图像对应的所述芯片上的位置,以得到第一芯片标记点和第二芯片标记点;
获取所述第一芯片标记点和所述第二芯片标记点的坐标,并通过所述坐标计算出所述芯片的尺寸;
比较所述芯片和所述虚拟芯片的尺寸,确定是否校准多个所述虚拟芯片的尺寸,以校准多个所述虚拟芯片的位置。
6.如权利要求5所述的校准方法,其特征在于,所述第一芯片图像组包括至少9张第一芯片图像,所述第二芯片图像组包括至少9张第二芯片图像。
7.如权利要求5所述的校准方法,其特征在于,多个所述芯片呈网格状排布,且多个所述芯片的大小相同。
8.如权利要求5所述的校准方法,其特征在于,将所述芯片的尺寸与所述虚拟芯片的尺寸作对比,确定所述虚拟芯片的尺寸是否需要校准的方法包括:
若所述虚拟芯片的尺寸与所述芯片尺寸不同,则调整多个所述虚拟芯片的大小以及所述虚拟芯片在所述虚拟晶圆中的布局。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





