[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201911312650.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN110970481A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | 陈登云;田雪雁;王品凡;张慧娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括基底以及设置在所述基底上的像素界定层,所述像素界定层形成有开槽区,所述显示基板还包括设置在所述开槽区所在位置处的发光器件、覆盖所述发光器件以及所述像素界定层的薄膜封装层,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述薄膜封装层背向所述基底一侧的光电传感器件,所述光电传感器件在所述基底的正投影与所述像素界定层在所述基底的正投影交叠,所述光电传感器件在所述基底的正投影与所述开槽区在所述基底的正投影无交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感器件包括依次远离所述基底且叠置的第一电极、PIN结、第二电极。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感器件的第一电极连为一体,所述光电传感器件的PIN结极连为一体,所述光电传感器件的第二电极连为一体。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极为透明电极,所述第一电极为反光电极。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光电传感器件与所述像素界定层二者边界平齐。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件为有机发光二极管或量子点发光二极管。
7.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-6任意一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基底,并在所述基底上形成像素界定层,所述像素界定层形成有开槽区,以及在所述开槽区所在位置处形成发光器件;
形成覆盖所述发光器件以及所述像素界定层的薄膜封装层;
在所述薄膜封装层上形成光电传感器件,其中,所述光电传感器件在所述基底的正投影与所述像素界定层在所述基底的正投影交叠,所述光电传感器件在所述基底的正投影与所述开槽区在所述基底的正投影无交叠。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述光电传感器包括依次远离所述基底且叠置的第一电极、PIN结、第二电极,
所述在所述薄膜封装层上形成光电传感器件包括:
在所述薄膜封装层上依次形成第一电极材料层、PIN结材料层、第二电极材料层;
利用一次光刻工艺对所述第一电极材料层、所述PIN结材料层、所述第二电极材料层进行处理以得到所述第一电极、所述PIN结、所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,采用第一掩模板利用光刻工艺形成所述像素界定层,并且在形成所述第一电极、所述PIN结、所述第二电极的光刻工艺中采用所述第一掩模板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





