[发明专利]一种侧面引出的半导体结构及其制造方法、堆叠结构

说明书

本发明提供一种侧面引出的半导体结构及其制造方法、堆叠结构，本发明通过聚合物层或第二树脂层实现两个芯片结构的粘合，减小叠置体的厚度。所述聚合物层或第二树脂层中可以混合有无机填料，以增强散热。本发明的结构既实现了扇出型封装结构，也同时实现了侧面引出和能够使得堆叠封装较薄的侧面引出结构。

技术领域

本发明涉半导体集成电路封装领域，属于H01L23/00分类号下，尤其涉及一种侧面引出的半导体结构及其制造方法、堆叠结构。

背景技术

集成电路封装是伴随集成电路的发展而前进的。随着宇航、航空、机械、轻工、化工等各个行业的不断发展，整机也向着多功能、小型化方向变化。这样，就要求集成电路的集成度越来越高，功能越来越复杂。相应地要求集成电路封装密度越来越大，引线数越来越多，而体积越来越小，重量越来越轻，更新换代越来越快，封装结构的合理性和科学性将直接影响集成电路的质量。因此，对于集成电路的制造者和使用者，除了掌握各类集成电路的性能参数和识别引线排列外，还要对集成电路各种封装的外形尺寸、公差配合、结构特点和封装材料等知识有一个系统的认识和了解。以便使集成电路制造者不因选用封装不当而降低集成电路性能；也使集成电路使用者在采用集成电路进行征集设计和组装时，合理进行平面布局、空间占用，做到选型恰当、应用合理。

对于三维的集成电路封装，其电极端往往位于芯片的正上方，其通过焊球或者焊线与封装基板进行电连接时，往往会增加三维封装的高度，不利于集成度和微型化，且多芯片的堆叠的散热性能较差，不利于可靠性。

发明内容

本发明提供了一种侧面引出的半导体结构的制造方法，包括：

(1)提供一晶圆，所述晶圆的第一表面上形成有多个半导体器件，且所述多个半导体器件的每一个在所述第一表面上具有电极，所述多个半导体器件之间设有切割道；

(2)在所述切割道位置形成多个盲孔，所述多个盲孔的宽度大于所述切割道的宽度；

(3)在所述多个盲孔内填充导电材料形成导电孔；

(4)在所述第一表面上形成绝缘层，所述绝缘层上形成开口，所述开口露出所述电极和导电孔；

(5)在所述绝缘层上形成导电层，所述导电层电连接所述电极和所述导电孔；

(6)在所述第一表面上覆盖聚合物层；

(7)沿着所述切割道进行切割实现单体化，所述切割沿着所述导电孔的宽度的中心进行，使得所述导电孔在侧面露出。

本发明还提供了另一种侧面引出的半导体结构的制造方法，包括：

(1)提供一载板，所述载板上固定有多个半导体芯片，且所述多个半导体芯片具有朝上的电极，并且在所述多个半导体芯片之间填充有第一树脂层；

(2)在所述多个半导体芯片之间的第一树脂层内形成多个盲孔；

(3)在所述第一表面上形成绝缘层，所述绝缘层上形成开口，所述开口露出所述电极和多个盲孔；

(4)在所述多个盲孔内填充导电材料形成导电孔；

(5)在所述绝缘层上形成导电层，所述导电层电连接所述电极和所述导电孔；

(6)在所述第一表面上覆盖第二树脂层；

(7)移除所述载体；

(8)沿着所述导电孔的宽度的中心进行切割实现单体化，使得所述导电孔在侧面露出。

根据本发明的实施例，所述绝缘层为氧化硅或氮化硅。

根据本发明的实施例，所述聚合物层或第二树脂层为热塑性树脂材料、水溶性塑料。