[发明专利]用于生成半导体检测报告的方法及装置

权利要求书

1.一种用于生成半导体检测报告的方法，包括：

获取待处理半导体的待处理图像，所述待处理图像包括表面图像、红外热分布图像；

响应于所述待处理图像中表面图像存在缺陷图像，根据所述缺陷图像获取缺陷类型信息；

基于所述缺陷类型信息查询所述红外热分布图像中的异常发热点；

响应于所述红外热分布图像中不存在异常发热点，根据所述缺陷类型信息生成对应所述待处理半导体的检测报告；

所述待处理图像还包括表面结构图像，以及

所述方法还包括：

响应于所述红外热分布图像中存在异常发热点，根据所述异常发热点确定对应所述表面结构图像的目标区域；

将所述目标区域导入预先训练的杂质检测模型，得到对应所述目标区域的杂质信息，所述杂质检测模型用于表征目标区域与杂质信息之间的对应关系；

根据所述缺陷类型信息和杂质信息生成对应所述待处理半导体的检测报告。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据所述缺陷图像获取缺陷类型信息，包括：

将所述待处理图像的缺陷图像导入预先训练的缺陷识别模型，得到对应所述待处理图像的缺陷类型信息，其中，所述缺陷识别模型用于表征缺陷图像与缺陷类型信息之间的对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述缺陷识别模型通过以下步骤训练得到：

获取多个样本缺陷图像和对应所述多个样本缺陷图像中每个样本缺陷图像的样本缺陷类型信息，所述样本缺陷图像包括以下至少一项：擦痕缺陷、划痕缺陷、孔洞缺陷、缺损缺陷；

将所述多个样本缺陷图像中每个样本缺陷图像作为输入，将所述多个样本缺陷图像中每个样本缺陷图像所对应的样本缺陷类型信息作为输出，训练得到缺陷识别模型。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述杂质检测模型通过以下步骤训练得到：

获取多个历史杂质图像和对应所述多个历史杂质图像中每个历史杂质图像对应的历史杂质信息；

将所述多个历史杂质图像中每个历史杂质图像作为输入，将所述多个历史杂质图像中每个历史杂质图像所对应的历史杂质信息作为输出，训练得到杂质检测模型。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的方法，其中，所述检测报告包括以下至少一项：待处理半导体的基本信息、缺陷图像、缺陷类型信息、目标区域、杂质信息。

6.一种用于生成半导体检测报告的装置，包括：

图像获取单元，被配置成获取待处理半导体的待处理图像，所述待处理图像包括表面图像、红外热分布图像；

第一检测单元，响应于所述待处理图像中表面图像存在缺陷图像，被配置成根据所述缺陷图像获取缺陷类型信息；

异常发热点查询单元，被配置成基于所述缺陷类型信息查询所述红外热分布图像中的异常发热点；

第一检测报告生成单元，响应于所述红外热分布图像中不存在异常发热点，被配置成根据所述缺陷类型信息生成对应所述待处理半导体的检测报告；

所述待处理图像还包括表面结构图像，以及

所述装置还包括：

第二检测单元，响应于所述红外热分布图像中存在异常发热点，被配置成根据所述异常发热点确定对应所述表面结构图像的目标区域；

杂质信息获取单元，被配置成将所述目标区域导入预先训练的杂质检测模型，得到对应所述目标区域的杂质信息，所述杂质检测模型用于表征目标区域与杂质信息之间的对应关系；

第二检测报告生成单元，被配置成根据所述缺陷类型信息和杂质信息生成对应所述待处理半导体的检测报告。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一检测单元包括：

第一检测子单元，被配置成将所述待处理图像的缺陷图像导入预先训练的缺陷识别模型，得到对应所述待处理图像的缺陷类型信息，其中，所述缺陷识别模型用于表征缺陷图像与缺陷类型信息之间的对应关系。