[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其特征在于，包括：

基板；

阻挡层，所述阻挡层设置于所述基板上；

绝缘层，所述绝缘层设置于所述阻挡层上；

导电层，所述导电层间隔设置于所述绝缘层中；

层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述导电层上；

所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽，所述凹槽内填充有机材料形成有机层；

所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

缓冲层，所述缓冲层设置于所述阻挡层与所述绝缘层之间，其中所述有机层贯穿所述缓冲层；

有源层，所述有源层设置于所述缓冲层与所述绝缘层之间；

源漏极层，所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上；所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；以及

平坦层，所述平坦层设置于所述源漏极层上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；所述导电层包括第一栅极层和第二栅极层；

所述第一栅极绝缘层设置于所述阻挡层上；所述第一栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上；所述第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二栅极绝缘层上，所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。

4.一种制备权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

阻挡层制备步骤，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上制备阻挡层；

绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备所述绝缘层；

导电层制备步骤，在所述绝缘层中间隔设置所述导电层；

层间绝缘层制备步骤，在所述导电层上制备所述层间绝缘层；所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽；

有机层制备步骤，在所述凹槽内填充有机材料形成有机层；

其中所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：

缓冲层制备步骤，在所述阻挡层与所述绝缘层之间制备缓冲层，所述有机层贯穿所述缓冲层；

有源层制备步骤，在所述缓冲层与所述绝缘层之间制备有源层；

源漏极层制备步骤，在所述层间绝缘层上制备源漏极层，并且所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；

平坦层制备步骤，在所述源漏极层上制备平坦层。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述绝缘层制备步骤包括第一栅极绝缘层制备步骤和第二栅极绝缘层制备步骤；所述导电层制备步骤包括第一栅极层制备步骤和第二栅极层制备步骤；

第一栅极绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备第一栅极绝缘层；

第一栅极层制备步骤，在所述第一栅极绝缘层上制备第一栅极层；

第二栅极绝缘层制备步骤，在所述第一栅极层上制备第二栅极绝缘层；

第二栅极层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极层；

其中所述层间绝缘层制备于所述第二栅极层上。

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机层制备步骤包括：在所述层间绝缘层上以及凹槽内涂覆填充有机材料，采用半色调掩膜工艺对凹槽处的有机材料进行部分去除形成有机层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机层制备步骤还包括：采用曝光工艺将层间绝缘层上的有机材料进行去除，最终达到所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半色调掩膜工艺的透过率范围为20-45％。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任意一项所述的阵列基板。