[发明专利]电子装置的制作方法在审
申请号: | 201911252195.8 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN113035736A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王惠洁;谢朝桦;石建中;林芳莹 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制作方法 | ||
1.一种电子装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一导电载板,该导电载板上设置有至少一电子元件;
拾取该至少一电子元件;
至少于拾取该至少一电子元件的该步骤中,设定该导电载板具有一接地电压;以及
将该至少一电子元件转移至一目标基板上。
2.如权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,该至少一电子元件与该导电载板电连接。
3.如权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,该至少一电子元件与该导电载板电性绝缘。
4.如权利要求3所述的电子装置的制作方法,其特征在于,另包括在拾取该至少一电子元件的该步骤之前,设定该导电载板具有一第一电压,其中该第一电压不等于该接地电压。
5.如权利要求3所述的电子装置的制作方法,其特征在于,另包括在拾取该至少一电子元件的该步骤之后,设定该导电载板具有一第二电压,其中该第二电压不等于该接地电压。
6.如权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,通过一静电吸引力来拾取该至少一电子元件。
7.如权利要求1所述的电子装置的制作方法,其特征在于,其中该导电载板包括两基底层与一中介绝缘层设在该两基底层之间。
8.如权利要求7所述的电子装置的制作方法,其特征在于,其中部分该中介绝缘层被移除。
9.一种电子装置的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一导电载板,该导电载板上设置有至少一电子元件;
拾取该至少一电子元件,且设定该导电载板具有一参考电压;以及
将该至少一电子元件转移至一目标基板上。
10.如权利要求9所述的电子装置的制作方法,其特征在于,包括:
设置一牺牲层覆盖该至少一电子元件;
移除部分该牺牲层,使邻近该至少一电子元件的该牺牲层围绕该至少一电子元件;
设置一绝缘层覆盖该至少一电子元件的一顶面以及邻近该至少一电子元件的该牺牲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造