[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有多个核心层、以及保形覆盖核心层和基底的侧墙材料层，相邻的核心层和基底围成凹槽，凹槽的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的为第二方向；在侧墙材料层上形成具有开口的牺牲层，开口位于部分凹槽上方，在第一方向上，开口露出相对应的凹槽的部分底部，且在第二方向上，开口露出凹槽两侧的核心层的部分顶部；去除开口露出的核心层顶部的侧墙材料层；至少填充牺牲层露出的凹槽，形成阻挡层；去除牺牲层；以阻挡层为掩膜，去除位于核心层顶部以及凹槽底部的侧墙材料层，形成侧墙层；形成侧墙层后，去除核心层。本发明避免出现核心层去除不完全的问题，以提高图形传递的精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。

在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。

目前，在技术节点不断缩小的情况下，如何提高图形传递的精度成为了一种挑战。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高图形传递的精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有多个核心层、以及保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层，相邻的所述核心层和所述基底围成凹槽，所述凹槽的延伸方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；在所述侧墙材料层上形成牺牲层，所述牺牲层内形成有开口，所述开口位于部分所述凹槽的上方，在所述第一方向上，所述开口露出相对应的所述凹槽的部分底部，且在所述第二方向上，所述开口露出所述凹槽两侧的所述核心层的部分顶部；去除所述开口露出的所述核心层顶部的所述侧墙材料层；去除所述开口露出的所述核心层顶部的所述侧墙材料层后，至少填充所述牺牲层露出的所述凹槽，形成阻挡层；形成所述阻挡层后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，以所述阻挡层为掩膜，去除位于所述核心层顶部以及所述凹槽底部的侧墙材料层，形成侧墙层；形成所述侧墙层后，去除所述核心层。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底；多个核心层，位于所述基底上，相邻的所述核心层和所述基底围成凹槽，所述凹槽的延伸方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；牺牲层，覆盖所述基底和核心层，所述牺牲层内形成有开口，所述开口位于部分所述凹槽的上方，在所述第一方向上，所述开口露出相对应的所述凹槽的部分底部，且在所述第二方向上，所述开口露出所述凹槽两侧的所述核心层的部分顶部；侧墙材料层，位于所述牺牲层和核心层之间、以及所述牺牲层和基底之间，所述侧墙材料层还位于所述开口下方的所述凹槽的侧壁上；阻挡层，至少填充于所述牺牲层露出的所述凹槽中。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例在形成具有开口牺牲层后，去除所述开口露出的所述核心层顶部的所述侧墙材料层，随后在凹槽中形成阻挡层，并以所述阻挡层为掩膜，去除位于所述核心层顶部以及所述凹槽底部的侧墙材料层，形成侧墙层，接着去除所述核心层；由于在形成阻挡层之前，先去除了所述开口露出的所述核心层顶部的所述侧墙材料层，因此，在形成所述阻挡层的过程中，即使所述阻挡层还覆盖所述开口露出的所述核心层的顶部，在形成所述侧墙层的步骤中，在所述阻挡层所对应的位置处，也能避免出现所述侧墙层还覆盖所述凹槽两侧的核心层部分顶部的问题，相应的，去除所述核心层后，在所述阻挡层所对应的位置处，能够避免出现核心层去除不完全的问题，从而提高了图形传递的精度。

附图说明

图1至图6是一种半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；