[发明专利]基座和化学气相沉积装置

说明书

本发明提供基座和化学气相沉积装置。该基座具备在第一面载置晶片的基体部，上述基体部具有，对上述晶片的背面供给氩气，且在厚度方向上贯通的多个开口部。

技术领域

本发明涉及基座和化学气相沉积装置。

本申请基于2018年12月10日提交的日本特许申请第2018-230897号要求优先权，并将其内容引用于此。

背景技术

与硅(Si)相比，碳化硅(SiC)具有绝缘击穿电场大1个数量级、带隙大3倍、热导率高3倍左右等特性。碳化硅由于具有这些特性，可期待应用于功率器件、高频器件、高温动作器件等。因此，近年来，在上述的半导体器件逐步使用SiC外延晶片。

SiC外延晶片是通过在SiC基板上使成为SiC半导体器件有源区的SiC外延膜生长而制造的。SiC基板是通过由利用升华法等制作的SiC的块状单晶进行加工而得到的，SiC外延膜是利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)而形成的。

应予说明，本说明书中，SiC外延晶片是指形成SiC外延膜之后的晶片，SiC晶片是指形成SiC外延膜之前的晶片。

例如，日本特开2016-50164号公报中记载了将SiC外延膜层叠的化学气相沉积装置。SiC外延膜在载置于基座的SiC晶片上成膜。

另外，例如日本特开2009-70915号公报中记载了用于化学气相沉积装置的基座。日本特开2009-70915号公报中记载的基座具有内侧基座与外侧基座分离的分离结构。在内侧基座与外侧基座之间，形成有间隙。

然而，如果使用现有的基座，则将SiC外延膜成膜之后的SiC外延晶片有时与层叠有SiC外延膜的一面相反一侧的背面是粗糙的。

在SiC外延晶片产生的背面粗糙会导致产生雾，在表面检查中导致离焦。另外，在制作SiC器件时，导致背面氧化膜剥离。SiC外延晶片的背面粗糙能够通过对SiC外延晶片的背面进行研磨而消除。然而，如果增加对背面进行研磨的工序则生产工序增加，生产率降低。

发明内容

本发明鉴于上述情况而完成，目的在于提供一种在利用化学气相沉积法在晶片将外延膜成膜时，能够抑制晶片的背面粗糙的基座。

本发明人等进行了深入研究，其结果发现通过向晶片的背面流入不活波气体，能够抑制晶片的背面粗糙的产生。

即，本发明为了解决上述课题，提供以下的手段。

(1)本发明的第一方式的基座具备在第一面载置晶片的基体部，上述基体部具有，对上述晶片的背面供给氩气，且在厚度方向上贯通的多个开口部。

(2)可以构成为，在上述(1)的方式的基座中，上述基体部具备主体部和突出部，上述开口部设置于上述主体部，上述突出部在上述主体的厚度方向上突出并设置于上述基体部的外周。

(3)可以构成为，在上述(1)或(2)的方式的基座中，在俯视上述第一面时，上述多个开口部沿着从中心起以同心圆状地存在的多个假想圆而存在。

(4)可以构成为，在上述(3)的方式的基座中，上述多个假想圆的相邻间距为10mm以下。

(5)可以构成为，在上述(3)或(4)的方式的基座中，上述多个开口部的一部分可沿着上述假想圆连续的圆环开口部。

(6)可以构成为，在上述(3)～(5)中任一项的方式的基座中，上述多个开口部的一部分为沿着上述假想圆分散存在的贯通孔。

(7)可以构成为，在上述(1)～(6)中任一项的方式的基座中，上述多个开口部的至少一部分在俯视时具有长轴。

(8)可以构成为，在上述(1)～(7)中任一项的方式的基座中，上述开口部的宽度为1mm以下。