[发明专利]基座和化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种基座，具备在第一面载置晶片的基体部，

所述基体部具有，向所述晶片的背面供给氩气，且在厚度方向上贯通的多个开口部。

2.根据权利要求1所述的基座，其中，

所述基体部具备主体部和突出部，

所述多个开口部设置于所述主体部，

所述突出部在所述主体部的厚度方向上突出，设置于所述基体部的外周。

3.根据权利要求1所述的基座，其中，

在俯视所述第一面时，所述多个开口部沿着从中心起以同心圆状存在的多个假想圆存在。

4.根据权利要求2所述的基座，其中，

在俯视所述第一面时，所述多个开口部沿着从中心起以同心圆状存在的多个假想圆存在。

5.根据权利要求3所述的基座，其中，

所述多个假想圆的相邻间距为10mm以下。

6.根据权利要求4所述的基座，其中，

所述多个假想圆的相邻间距为10mm以下。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的基座，其中，

所述多个开口部的一部分为沿着所述假想圆连续的圆环开口部。

8.根据权利要求3～6中任一项所述的基座，其中，

所述多个开口部的一部分为沿着所述假想圆分散存在的贯通孔。

9.根据权利要求1～6所述的基座，其中，

所述多个开口部的至少一部分在俯视时具有长轴。

10.根据权利要求1～6中任一项所述的基座，其中，

所述开口部的宽度为1mm以下。

11.一种基座，是用于在晶片的主面利用化学气相沉积法使外延膜生长的化学气相沉积装置的基座，

所述基座具有载置晶片的第一面和在厚度方向上朝向所述第一面贯通且对所述晶片供给稀有气体的开口部，

在俯视所述第一面时，所述开口部为从中心起朝向外周呈螺旋状形成的螺旋开口部。

12.根据权利要求11所述的基座，其中，所述螺旋开口部中径向的相邻间距为10mm以下。

13.一种化学气相沉积装置，具备权利要求1或11所述的基座。