[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 201911225552.1 | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN111106149B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种显示面板及其制备方法。本发明,通过第一光罩同时在所述显示区形成从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中的第一凹槽和从所述弯折区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中的第二凹槽的第一槽体,节约了光罩成本。另一方面,本发明保留了弯折区的有源层,以此延长第一槽体的蚀刻时间,使得第一光罩能够同时满足第一凹槽的深度和第二凹槽的第一槽体的深度要求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
有机发光显示装置(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是:当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一。
目前柔性显示装置经过多次弯折后较易发生断裂,造成显示异常;为了提高显示面板的弯折特性,会在显示区和弯折区增加防断裂的设计;一般采用在无机层中打孔并填充有机材料形成弯折性有机层,但新增防断裂设计会增加光罩成本,因此需要寻求一种新型的显示面板及其制备方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种显示面板及其制备方法,其能够节省光罩,节约光罩成本。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式提供了一种显示面板,定义有显示区和非显示区,所述非显示区具有弯折区。其中所述显示面板包括:基板;阻隔层,设置于所述基板上;缓冲层,设置于所述阻隔层上;有源层,设置于所述显示区和所述弯折区的所述缓冲层上;层间绝缘层,设置于所述有源层上方;第一凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中;第二凹槽,设于所述弯折区,所述第二凹槽包括第一槽体和第二槽体;所述第一槽体从所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中;所述第二槽体从所述第一槽体靠近所述基板的表面贯穿至所述基板中。
进一步的,其中所述显示面板还包括:第一栅极绝缘层,设置于所述有源层上;第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层上;第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极层上;第二栅极层,置于所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间。
进一步的,其中所述显示面板还包括:第一有机层,在所述第一凹槽中填充有机材料形成;第二有机层,在所述第二凹槽中填充有机材料形成。
进一步的,其中所述显示面板还包括:第三凹槽和第四凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层远离所述基板的表面;源漏极层,设置于所述层间绝缘层上;其中所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和漏极分别通过第三凹槽和第四凹槽连接于所述有源层上。
进一步的,其中所述显示面板还包括:平坦层,设置于所述源漏极层上;像素定义层,设置于所述平坦层上,所述像素定义层中具有一开口;阳极,设置于所述像素定义层中的所述开口中,并且连接至所述源漏极层;支撑柱,所述支撑柱设置于所述像素定义层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





