[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 201911225552.1 | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN111106149B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,定义有显示区和非显示区,所述非显示区具有弯折区,其特征在于,包括:
基板;
阻隔层,设置于所述基板上;
缓冲层,设置于所述阻隔层上;
有源层,设置于所述显示区和所述弯折区的所述缓冲层上;
层间绝缘层,设置于所述有源层上方;
第一凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中;
第二凹槽,设于所述弯折区,所述第二凹槽包括第一槽体和第二槽体;
所述第一槽体从所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中;
所述第二槽体从所述第一槽体靠近所述基板的表面贯穿至所述基板中;
其中,位于所述弯折区的所述有源层用于延长所述第一槽体的刻蚀时间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一栅极绝缘层,设置于所述有源层上;
第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层上;
第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极层上;
第二栅极层,置于所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一有机层,在所述第一凹槽中填充有机材料形成;
第二有机层,在所述第二凹槽中填充有机材料形成。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第三凹槽和第四凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层远离所述基板的表面;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上;
其中所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和漏极分别通过第三凹槽和
第四凹槽连接于所述有源层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括:
平坦层,设置于所述源漏极层上;
像素定义层,设置于所述平坦层上,所述像素定义层中具有一开口;
阳极,设置于所述像素定义层中的所述开口中,并且连接至所述源漏极层;
支撑柱,所述支撑柱设置于所述像素定义层上。
6.一种制备权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,提供一基板,将待制备的显示面板定义出显示区和非显示区,所述非显示区具有弯折区;
S2,在所述基板上依次制备阻隔层、缓冲层、有源层、层间绝缘层,其中所述有源层设置于所述显示区和所述弯折区的所述缓冲层上,位于所述弯折区的所述有源层用于延长所述第一槽体的刻蚀时间;
S3,提供一第一光罩,通过所述第一光罩同时在所述显示区形成从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中的第一凹槽和从所述弯折区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中的第二凹槽的第一槽体;
S4,提供一第二光罩,通过所述第二光罩在所述弯折区形成从所述第一槽体靠近所述基板的表面贯穿至基板中的第二凹槽的第二槽体。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,S2中还包括:
在所述有源层上制备第一栅极绝缘层;
在所述第一栅极绝缘层上制备第一栅极层;
在所述第一栅极层上制备第二栅极绝缘层;
在所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间制备第二栅极层。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
S5,在所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充有机材料分别形成第一有机层和第二有机层。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述S4中:通过第二光罩同时在所述显示区形成从所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层远离所述基板的表面的第三凹槽和第四凹槽。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
S6,在所述层间绝缘层上制备源漏极层,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和漏极分别通过第三凹槽和第四凹槽连接于所述有源层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





