[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911169679.6 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110828489B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 陈诚 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,在水平方向上被划分为显示区、换线区及弯折区;
所述显示面板从下至上依次包括基板、阻隔层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层及第二栅极绝缘层,还包括:
第一通孔,依次贯穿位于所述弯折区的所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层,作为源漏极搭接开孔;
第二金属层,设于所述第一通孔的底部及内侧壁,且延伸至所述第二栅极绝缘层的表面;
第一有机层,设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层一侧的表面及所述第一通孔内;
第二通孔,贯穿所述显示区内的第一有机层,所述第二通孔部分地连通至所述第一通孔,作为源漏极搭接开孔;另一部分与所述第一金属层驱动电路电容下电极图形相对设置,为形成电容开孔;
第三金属层,设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面,部分所述第三金属层设于所述电容开孔内;
层间绝缘层,设于所述第一有机层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面;以及
第四金属层,设于所述层间绝缘层远离所述第一有机层一侧的表面;
其中,位于所述显示区的部分第四金属层穿过所述层间绝缘层,电连接至所述第三金属层。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一金属层材质包括铝或者铝合金;和/或,
所述第二金属层材质包括铝或者铝合金。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括
第三通孔,贯穿于所述层间绝缘层、所述第一有机层、所述第二栅极绝缘层及第一栅极绝缘层;和/或,
第三通孔,贯穿于所述层间绝缘层及所述第一有机层;和/或,
第三通孔,贯穿于所述层间绝缘层。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第四金属层部分地设于所述第三通孔内。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第四金属层通过所述第三通孔部分地搭接至所述第二金属层的网状走线,形成并联电路。
6.一种显示装置,包括如权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,依次包括基板提供步骤、阻隔层制备步骤、缓冲层制备步骤、有源层制备步骤、第一栅极绝缘层制备步骤、第一金属层制备步骤及第二栅极绝缘层制备步骤,还包括:
第一通孔设置步骤,穿透所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层,形成第一通孔;
第二金属层制备步骤,在所述第一通孔的底部及内侧壁并延伸至所述第二栅极绝缘层上表面上制备出第二金属层;
第一有机层制备步骤,在所述第二栅极绝缘层的上表面及所述第二金属层上制备出第一有机层;
第二通孔设置步骤,在所述第一金属层上方的第一有机层处设置第二通孔;
第三金属层制备步骤,曝光所述第一有机层,在所述第二栅极绝缘层上表面以及所述第二通孔内形成第三金属层;
层间绝缘层制备步骤,在所述第一有机层及所述第三金属层的上表面制备出层间绝缘层;以及
第四金属层制备步骤,在所述层间绝缘层的上表面制备出第四金属层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述层间绝缘层制备步骤之后,还包括:
第四通孔设置步骤,在所述层间绝缘层上设置第四通孔,使得所述第四通孔贯穿于所述层间绝缘层,且与所述第一通孔相对设置;以及
第二有机层制备步骤,在所述第四通孔内制备出第二有机层;
在所述第四金属层制备步骤中,
所述第四金属层部分地设于所述第二有机层的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的