[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括在衬底上依次层叠设置栅极层、栅极绝缘层、有源层、沟道保护层、刻蚀阻挡层、以及源漏极层，其中，有源层包括沟道区和掺杂区，沟道保护层设置于沟道区上；通过在有源层的沟道区上方设置沟道保护层，利用沟道保护层良好的物理特性和化学特性，可以大幅度减少沟道区界面的缺陷，同时防止水或氧气进入薄膜晶体管，从而改善了阵列基板的电性能，进而改善了对显示面板的驱动效果，改善了显示器件的发光特性。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

Oxide TFT(Thin Film Transistor，氧化物薄膜晶体管)由于电子迁移率高，漏电流低，制备温度低等特点，引起了广泛的关注。

现有技术中，Oxide TFT的制作方式是在制备了氧化物有源层后，再制备蚀刻阻挡层，最后再制作源漏极，完成TFT器件的制作。但是这样做出的TFT器件，氧化物有源层的背沟道缺陷较多，和刻蚀阻挡层形成的界面容易受到水和氧气的影响，进而对TFT的电性产生很大的影响，影响显示面板的驱动，进而影响显示器的发光特性。

因此，现有Oxide TFT存在缺陷，需要改进。

发明内容

本申请提供一种阵列基板，以缓解现有Oxide TFT存在缺陷的问题。

为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

栅极层，形成于所述衬底上，图案化形成栅极；

栅极绝缘层，形成于所述栅极层上，覆盖所述栅极层和所述衬底；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成有源区，所述有源区包括沟道区和掺杂区；

沟道保护层，形成于所述有源层上，图案化形成位于所述沟道区上方的沟道保护区；

刻蚀阻挡层，形成于所述沟道保护层上，覆盖所述沟道保护层、所述有源层、以及所述栅极绝缘层；

源漏极层，形成于所述刻蚀阻挡层上，图案化形成源极和漏极，所述源极或所述漏极通过过孔与所述掺杂区相连。

在一些实施例中，所述沟道保护区仅对应于所述沟道区。

在一些实施例中，沟道保护区对应于所述沟道区和部分所述掺杂区。

在一些实施例中，沟道保护层的材料为铟锌氧化物。

在一些实施例中，沟道保护层的厚度为4～6nm。

同时，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备栅极层；

在所述栅极层上制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制备有源层；

在所述有源层上制备沟道保护层；

在所述沟道保护层上制备刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上制备源漏极层。

在一些实施例中，所述在所述栅极绝缘层上制备有源层的具体步骤包括：

采用物理气相沉积法，在所述栅极绝缘层上沉积一层铟镓锌氧化物薄膜；

对所述铟镓锌氧化物薄膜进行图案化，形成有源区；

对所述有源区进行部分掺杂，形成掺杂区和沟道区。