[发明专利]一种阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201911158931.3 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112838059A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 季雨;钱国平;冯磊;曾玲玲;周超;黄先纯;沈忱;陈皖青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/66;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法,该制作方法包括:在衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线、多条公共电压线和连接部的图案,每一公共电压线与相邻各像素电极经连接部电连接;对各数据线加载测试信号后,接收并比较经各数据线传输后的测试信号,在判定至少一条数据线传输后的测试信号与其他数据线传输后的测试信号不同时,确定该至少一条数据线与像素电极之间存在短路残留物,去除短路残留物;该至少一条数据线的数量小于其他数据线的数量;刻蚀连接部,使公共电压线与像素电极绝缘。通过将公共电压线与相邻的各像素电极电连接,使短路残留物造成的数据线与像素电极之间的点不良转换成线不良,从而便于检测出短路残留物。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
相关技术中,车载产品目前采用的双栅(Dual Gate)型高开口率-高级超维场开关(High-Adwanced Dimension Switch,HADS)设计结构,如图1所示。具体包括:阵列排布的像素电极101、数据线102、公共电压线103、栅线104和晶体管105;其中,像素电极101与数据线102之间通过间隙实现相互绝缘。在制作数据线102的过程中形成的源漏极金属残留(SDRemain),或在制作像素电极101的过程中形成的氧化铟锡残留(ITO Remain),这些短路残留物r容易造成数据线102与像素电极101之间发生短路(SD-PXL Short),从而引发后端点灯亮点类不良。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法,用以实现对造成数据线与像素电极之间短路的源漏极金属残留或氧化铟锡残留等短路残留物的检测。
因此,本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线、多条公共电压线和连接部的图案,其中,每一所述公共电压线与相邻的各所述像素电极通过所述连接部电连接;
对各所述数据线加载测试信号后,接收并比较经各所述数据线传输后的所述测试信号,在判定至少一条所述数据线传输后的所述测试信号与其他所述数据线传输后的所述测试信号不同时,确定该至少一条所述数据线与所述像素电极之间是否存在短路残留物,且在确定存在所述短路残留物时,去除所述短路残留物;其中,该至少一条所述数据线的数量小于其他所述数据线的数量;
对所述连接部进行刻蚀,使各所述公共电压线与各所述像素电极之间相互绝缘。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述衬底基板上形成多个像素电极的图案的同时,还包括:
形成连接每一所述公共电压线与相邻的所述像素电极的连接部。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,各所述数据线和各所述公共电压线的图案在同一膜层形成;
在所述衬底基板上形成多条数据线和多条公共电压线的图案的同时,还包括:
形成连接每一所述公共电压线与相邻的所述像素电极的连接部。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,每一所述像素电极分别通过至少一个对应的所述连接部与相邻的所述公共电压线电连接;或者,每列所述像素电极分别通过一个对应的所述连接部与相邻的所述公共电压线电连接。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线和多条公共电压线的图案,具体包括:
在所述衬底基板上形成阵列排布的所述像素电极;
在各所述像素电极的列间隙处交替形成所述数据线和所述公共电压线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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